【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2014年6月13日提交的申请号为10-2014-0072208的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用结合于此。
本专利技术的各种实施例涉及一种半导体器件，并且更具体而言涉及一种包括存储器单元的半导体器件。
技术介绍
在诸如快闪存储器之类的半导体器件中，数据通过编程操作储存在快闪存储器单元中，并且为了检查数据是否被储存在快闪存储器单元中，执行验证操作。当执行编程操作时，增大了被编程的存储器单元的阈限电压。若阈限电压增大到高于目标电平，则确定数据被储存在了快闪存储器单元中。然而，即使当阈限电压低于目标电平时，由于诸如源极跳动现象之类的各种原因在验证操作中可能将阈限电压确定为高于目标电平。另外，当阈限电压增大到高于目标电平时，若阈限电压与目标电平之间的差不足够大，则可能将阈限电压确定为低于目标电平。在这点上，储存在存储器单元中的数据可能改变，并且快闪存储器的操作可靠性可能劣化。
技术实现思路
本专利技术的各种实施例针对于一种可以改善操作可靠性的半导体器件。根据本专利技术的实施例，一种半导体器件可以包括:包括...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：存储器区块，其包括耦接至字线的存储器单元；以及操作电路，其适于对耦接至选中字线的存储器单元执行编程操作和验证操作，其中，当执行所述编程操作时，所述操作电路向第一编程故障单元的位线施加第一编程允许电压以保持编程故障状态，并且向第二编程故障单元的位线施加具有与所述第一编程允许电压不同的电压电平的第二编程允许电压，以将编程通过状态改变为编程故障状态。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：安致昱，李珉圭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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