半导体器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用于2015年12月17日提交的日本专利申请No.2015-245884，包括说明书、附图、以及摘要，通过引入其整体而合并于此。
本专利技术涉及一种半导体器件，例如，涉及一种有效地应用于包括多个半导体芯片的半导体器件的技术。
技术介绍
日本未审查专利申请公布No.2007-95860公开了一种半导体器件，该半导体器件具有安装在衬底上的多个半导体芯片并且具有在半导体芯片的一部分的顶表面上的散热板。在具有安装在衬底上的多个半导体部件的半导体器件中，有着在半导体部件中提供散热板以便有效地使从半导体部件产生的热释放到外部的技术。作为具体结构示例，例如，提供散热板以覆盖安装在衬底上的半导体部件并且散热板通过粘合剂与相应半导体部件相耦合。然而，安装在衬底上的半导体部件的厚度并不总是相同的并且其厚度是各种各样的。在这种情况下，当提供散热板以覆盖各种厚度的整个半导体部件并且通过粘合剂与相应半导体部件相耦合时，半导体部件的顶表面与散热板之间的空隙必然变大，并且用于使薄的半导体部件与散热板相耦合的粘合剂的体积变大。其结果是，散热板与薄的半导体部件之间的粘合剂...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括表面；第一半导芯片，所述第一半导芯片被安装在所述衬底的所述表面的第一区域的上方；封装结构，所述封装结构被安装在所述衬底的所述表面的第二区域的上方；金属材料，所述金属材料用于覆盖所述第一半导体芯片，所述金属材料被固定到所述衬底的所述表面而在平面图中与所述封装结构不重叠；其中，所述金属材料包括：第一部分，所述第一部分在平面图中与所述第一半导体芯片重叠，第二部分，所述第二部被固定到所述衬底的所述表面，以及接合部分，所述接合部分用于使所述第一部分和所述第二部分相接合，并且其中，所述衬底的所述表面距所述第一部分的顶表面的距离大于所述衬底的所述表...
【技术特征摘要】
2015.12.17 JP 2015-2458841.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括表面；第一半导芯片，所述第一半导芯片被安装在所述衬底的所述表面的第一区域的上方；封装结构，所述封装结构被安装在所述衬底的所述表面的第二区域的上方；金属材料，所述金属材料用于覆盖所述第一半导体芯片，所述金属材料被固定到所述衬底的所述表面而在平面图中与所述封装结构不重叠；其中，所述金属材料包括：第一部分，所述第一部分在平面图中与所述第一半导体芯片重叠，第二部分，所述第二部被固定到所述衬底的所述表面，以及接合部分，所述接合部分用于使所述第一部分和所述第二部分相接合，并且其中，所述衬底的所述表面距所述第一部分的顶表面的距离大于所述衬底的所述表面距所述第二部分的顶表面的距离。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二部分包括粘合部分和非粘合部分，第一粘合剂介于所述粘合部分与所述衬底的所述表面之间，所述第一粘合剂不介于所述非粘合部分与所述衬底的所述表面之间。3.根据权利要求2所述的器件，其中，在所述衬底中，在最接近所述表面的深度中形成有第一布线，并且在所述第一布线下面的层中形成有第二布线。4.根据权利要求3所述的器件，其中，在平面中与所述第一布线重叠的所述第二部分的部分是所述非粘合部分。5.根据权利要求3所述的器件，其中，在平面中与所述第一布线不重叠的所述第二部分的部分包括所述粘合部分。6.根据权利要求5所述的器件，其中，在平面中与所述第二布线重叠的所述第二部分的部分包括所述粘合部分。7.根据权利要求5所述的器件，其中，在所述衬底中，在与所述第一布线相同的层中形成有具有比所述第一布线的布线宽度大的宽度的宽图案，并且其中，在平面中与所述宽图案重叠的所述第二部分的部分包括所述粘合部分。8.根据权利要求2所述的器件，其中，第二粘合剂介于所述第一半导体芯片与所述金属材料之间。9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一粘合剂和所述第二粘合剂由不同材料形成。10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一粘合剂由包括含有氧化硅的填料的树脂形成，并且其中，所述第二粘合剂由包括含有金属的填料的树脂形成。11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述金属材料的顶表面高于所述封装结构的顶表面。12.根据权利要求1所述的器件，其中，所述封装结构比所述第一半导体芯片厚。13.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤嘉昭，桂洋介，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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