半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，其包括安装在布线衬底上的半导体芯片和封装结构以及用于覆盖半导体芯片的盖子，盖子被固定到布线衬底的表面上而在平面图中与封装结构不重叠。盖子包括与半导体芯片重叠的上表面部分、固定到布线衬底的表面的凸缘部分、以及用于使上表面部分与凸缘部分相接合的倾斜部分。此后，布线衬底到的表面距上表面部分的顶表面的距离大于布线衬底的表面距凸缘部分的顶表面的距离。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用于2015年12月17日提交的日本专利申请No.2015-245884，包括说明书、附图、以及摘要，通过引入其整体而合并于此。
本专利技术涉及一种半导体器件，例如，涉及一种有效地应用于包括多个半导体芯片的半导体器件的技术。
技术介绍
日本未审查专利申请公布No.2007-95860公开了一种半导体器件，该半导体器件具有安装在衬底上的多个半导体芯片并且具有在半导体芯片的一部分的顶表面上的散热板。在具有安装在衬底上的多个半导体部件的半导体器件中，有着在半导体部件中提供散热板以便有效地使从半导体部件产生的热释放到外部的技术。作为具体结构示例，例如，提供散热板以覆盖安装在衬底上的半导体部件并且散热板通过粘合剂与相应半导体部件相耦合。然而，安装在衬底上的半导体部件的厚度并不总是相同的并且其厚度是各种各样的。在这种情况下，当提供散热板以覆盖各种厚度的整个半导体部件并且通过粘合剂与相应半导体部件相耦合时，半导体部件的顶表面与散热板之间的空隙必然变大，并且用于使薄的半导体部件与散热板相耦合的粘合剂的体积变大。其结果是，散热板与薄的半导体部件之间的粘合剂变厚，并且据此，在薄的半导体部件中所产生的热量的散热效率劣化。尤其是，当薄的半导体部件中的发热量很大时，容易发生由于薄的半导体部件中的温度升高所引起的故障，由此半导体器件的可靠性劣化。因此，对于提供有散热板以覆盖各种厚度的半导体部件的半导体器件，从提高半导体器件的可靠性的角度来看，必须考虑进一步改进。
技术实现思路
从对说明书和附图的描述，可显而易见地得知其它目的和新颖特征。根据一个实施例的半导体器件包括用于覆盖第一半导体部件的散热材料，该散热材料覆盖固定到衬底的表面，而在平面图中与第二半导体部件不重叠。在这里，散热材料包括在平面图中与第一半导体部件重叠的第一部分、固定到衬底的表面的第二部分、以及用于使第一部分与第二部分相接合的接合部分。衬底的表面距第一部分的顶表面的距离不小于衬底的表面距第二部分的顶表面的距离。根据一个实施例，可提高半导体器件的可靠性。附图说明图1是示出相关技术中的半导体器件的截面结构的视图。图2是示出了相关技术中的半导体器件的截面结构的视图。图3A是示出了根据一个实施例的半导体器件的结构的顶视平面图，并且图3B是沿着图3A中的线A-A的截面图。图4是以放大的方式示出了图3B的一部分的放大图。图5是部分地示出了布线衬底的截面的截面图。图6是示意性地示出了包含在布线衬底的第一布线层中的布线由于用于将盖子粘合到布线衬底的粘合剂而断开连接的状态的视图。图7A是示意性地示出了布线衬底、盖子、以及布线之间的平均位置关系的视图，并且图7B是示意性地示出了在布线上面不提供用于粘合以附接盖子的粘合区域的截面图。图8A是示意性地示出了布线衬底、盖子、以及宽图案之间的平坦位置关系的视图，并且图8B是示意性地示出了在布线上面提供用于粘合以附接盖子的粘合区域的截面图。图9A是示意性地示出了布线衬底、盖子、以及布线之间的平坦位置关系的视图，并且图9B是示意性地示出了在平面图中在与布线不重叠的区域中可提供用于粘合以附接盖子的粘合区域的截面图。图10A是示意性地示出了布线衬底、盖子、以及布线之间的平坦位置关系的视图，并且图10B是示意性地示出了在平面图中在与布线重叠的区域中可提供用于粘合以附接盖子的粘合区域的截面图。图11是示出了实施例中的布线衬底的布局结构示例的示意图。图12是示出了实施例中的布线衬底的布局结构示例的示意图。图13是示出了在图11所示的布线衬底上安装有盖子的状态的顶视平面图。图14是示出不连续地形成粘合剂的涂敷区域的结构示例的顶视平面图。图15A和15B是用于描述实施例中的半导体器件的制造工艺的视图：图15A是顶视平面图并且图15B是沿着图15A中的线A-A的截面图。图16A和16B是用于描述接着图15A和15B的半导体器件的制造工艺的视图：图16A是顶视平面图并且图16B是沿着图16A中的线A-A的截面图。图17A和17B是用于描述接着图16A和16B的半导体器件的制造工艺的视图：图17A是顶视平面图并且图17B是沿着图17A中的线A-A的截面图。图18A和18B是用于描述接着图17A和17B的半导体器件的制造工艺的视图：图18A是顶视平面图并且图18B是沿着图18A中的线A-A的截面图。图19A和19B是用于描述接着图18A和18B的半导体器件的制造工艺的视图：图19A是顶视平面图并且图19B是沿着图19A中的线A-A的截面图。图20A和20B是用于描述接着图19A和19B的半导体器件的制造工艺的视图：图20A是顶视平面图并且图20B是沿着图20A中的线A-A的截面图。图21A和21B是用于描述接着图20A和20B的半导体器件的制造工艺的视图：图21A是顶视平面图并且图21B是沿着图21A中的线A-A的截面图。图22A和22B是用于描述接着图21A和21B的半导体器件的制造工艺的视图：图22A是顶视平面图并且图22B是沿着图22A中的线A-A的截面图。图23是示出了根据变型示例1的半导体器件的平面结构的顶视平面图。图24是出了根据变型示例2的半导体器件的平面结构的顶视平面图。图25是出了根据变型示例3的半导体器件的平面结构的顶视平面图。图26是出了根据变型示例4的半导体器件的平面结构的顶视平面图。具体实施方式如果出于方便的需要下面的实施例将被分成多个部分或形式来描述，除非另有说明，否则它们彼此相互关联，并且一个与另一个部分地相关或者在作为详细和补充描述的整个变型示例中相关。此外，在下面的实施例中，在引用原件的数量(包括片，数值，量、以及范围)的情况下，数量并不局限于指定数量，而是可以大于或小于指定数量，除非另有说明并且除非原理上明显地限制于指定数量。此外，在下面实施例中，不必说，组件(包括步骤)并不总是强制性的，除非另有说明并且除非原理上认为是强制性的。同样地，在下面的实施例中，当涉及部件的形状和位置关系时，它们实际上包含相似或准形状，除非另有说明并且除非它们的形状和位置关系在原理上显然不同。此外，在用于描述实施例的所有附图中，对相同材料附上相同附图标记并且省略对其的重复描述。为了易于理解，可以对顶视平面图附加阴影线。<改进研究>首先，参考附图描述对由本专利技术人等人新发现的对相关技术的改进的研究。在这里，本说明书中的“相关技术”是具有本专利技术人等人新发现的问题的技术，并且尽管它不是公知的相关技术，但是它是旨在满足新技术精神(未知技术)的前提的技术。图1是现有技术中的半导体器件SAR1的截面结构的视图。在图1中，相关技术的半导体器件SAR1包括布线衬底WB，并且将半导体芯片CHP1和半导体芯片CHP2安装在布线衬底WB的顶表面上。另一方面，将多个焊球SB1安装在布线衬底WB的后表面上。在半导体芯片CHP1的表面上，形成多个凸块电极BMP1，并且通过凸块电极BMP1，将半导体芯片CHP1面朝下安装在布线衬底WB的表面上。类似地，在半导体芯片CHP2的表面上，形成多个凸块电极BMP2，并且通过凸块电极BMP2，将半导体芯片CHP2面朝下安装在布线衬底WB的表面上。此后，在半导体芯片CHP1与布线衬底WB之间的空隙中以及半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括表面；第一半导芯片，所述第一半导芯片被安装在所述衬底的所述表面的第一区域的上方；封装结构，所述封装结构被安装在所述衬底的所述表面的第二区域的上方；金属材料，所述金属材料用于覆盖所述第一半导体芯片，所述金属材料被固定到所述衬底的所述表面而在平面图中与所述封装结构不重叠；其中，所述金属材料包括：第一部分，所述第一部分在平面图中与所述第一半导体芯片重叠，第二部分，所述第二部被固定到所述衬底的所述表面，以及接合部分，所述接合部分用于使所述第一部分和所述第二部分相接合，并且其中，所述衬底的所述表面距所述第一部分的顶表面的距离大于所述衬底的所述表面距所述第二部分的顶表面的距离。

【技术特征摘要】
2015.12.17 JP 2015-2458841.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括表面；第一半导芯片，所述第一半导芯片被安装在所述衬底的所述表面的第一区域的上方；封装结构，所述封装结构被安装在所述衬底的所述表面的第二区域的上方；金属材料，所述金属材料用于覆盖所述第一半导体芯片，所述金属材料被固定到所述衬底的所述表面而在平面图中与所述封装结构不重叠；其中，所述金属材料包括：第一部分，所述第一部分在平面图中与所述第一半导体芯片重叠，第二部分，所述第二部被固定到所述衬底的所述表面，以及接合部分，所述接合部分用于使所述第一部分和所述第二部分相接合，并且其中，所述衬底的所述表面距所述第一部分的顶表面的距离大于所述衬底的所述表面距所述第二部分的顶表面的距离。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二部分包括粘合部分和非粘合部分，第一粘合剂介于所述粘合部分与所述衬底的所述表面之间，所述第一粘合剂不介于所述非粘合部分与所述衬底的所述表面之间。3.根据权利要求2所述的器件，其中，在所述衬底中，在最接近所述表面的深度中形成有第一布线，并且在所述第一布线下面的层中形成有第二布线。4.根据权利要求3所述的器件，其中，在平面中与所述第一布线重叠的所述第二部分的部分是所述非粘合部分。5.根据权利要求3所述的器件，其中，在平面中与所述第一布线不重叠的所述第二部分的部分包括所述粘合部分。6.根据权利要求5所述的器件，其中，在平面中与所述第二布线重叠的所述第二部分的部分包括所述粘合部分。7.根据权利要求5所述的器件，其中，在所述衬底中，在与所述第一布线相同的层中形成有具有比所述第一布线的布线宽度大的宽度的宽图案，并且其中，在平面中与所述宽图案重叠的所述第二部分的部分包括所述粘合部分。8.根据权利要求2所述的器件，其中，第二粘合剂介于所述第一半导体芯片与所述金属材料之间。9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一粘合剂和所述第二粘合剂由不同材料形成。10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一粘合剂由包括含有氧化硅的填料的树脂形成，并且其中，所述第二粘合剂由包括含有金属的填料的树脂形成。11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述金属材料的顶表面高于所述封装结构的顶表面。12.根据权利要求1所述的器件，其中，所述封装结构比所述第一半导体芯片厚。13.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤嘉昭，桂洋介，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP