本公开的各实施例涉及半导体器件。根据一个实施例的一种半导体器件包括：具有芯绝缘层的布线衬底；安装在布线衬底的上表面上的半导体芯片；形成在布线衬底的下表面上的多个焊球；以及散热器，该散热器具有经由第一粘合层固定到半导体芯片的后表面的第一部...

本发明涉及提高半导体器件的性能并且抑制产量下降。使用抗蚀剂图案作为掩模，从半导体衬底的上表面执行离子注入以在该半导体衬底中形成离子注入层。随后，执行另一次离子注入。然后，在该半导体衬底中形成另一个离子注入层以便与该离子注入层重叠。接下来...

本公开涉及一种半导体装置。第二存储器具有可并行访问的n个存储体，并且存储像素数据。输入DMA控制器通过使用n个输入通道将被存储在第二存储器中的像素数据分别传送到n个乘法‑累加单元。顺序控制器控制输入DMA控制器，以使第一输入通道将输入存...

本公开涉及一种半导体装置，其中半导体芯片包括在不同电位之间执行无接触通信的变压器。半导体芯片包括半导体衬底、在半导体衬底的上表面中形成的半导体区域以及在半导体衬底之上形成的变压器。这里，变压器包括下电感器、电连接到下电感器的引线布线部分...

本公开涉及一种半导体装置，其中第二存储器存储由多个输入数据片段组成的多个输入数据集DSi。N个乘法‑累加单元能够执行并行处理，并且每个乘法‑累加单元对多个权重参数集中的任一权重参数集和多个输入数据集中的任一输入数据集执行乘法‑累加运算。...

本公开涉及一种半导体装置。半导体芯片包括下布线层、形成在下布线层上的多层布线层，以及形成在多层布线层上的上布线层。这里，下布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度，并且上布线层中所设置的布线的厚度大于...

本公开涉及一种半导体器件。根据一个实施例，半导体器件包括半导体衬底，其中，当从前表面侧察看时，半导体衬底包括：包括多个IGBT的IGBT区域；被布置成围绕IGBT区域的二极管区域；包括多个二极管的二极管区域；以及被布置成围绕二极管区域的...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在Y方向上延伸的第一沟槽形成在位于单元区域中的半导体衬底和位于外围区域中的半导体衬底中的每一者中。第二沟槽形成在外围区域中的半导体衬底中以在平面图中围绕单元区域。p型本体区域在每个区域中形成在...

提供了一种能够在不增加寄生电容的情况下有利地检查导线连接状态的断开检测器电路。一种半导体装置在一个封装中包括：第一集成电路，该第一集成电路包括变压器，该变压器包括初级线圈和次级线圈；以及第二集成电路，该第二集成电路连接到次级线圈的中点和...

本公开涉及一种半导体装置及其温度特性测试方法。在测试带隙基准电路的温度特性之前，测量针对多个样本的基准电压和绝对温度比例电压的温度依赖性。在测试温度特性时，基于带隙基准电路在预定温度下的基准电压与多个样本的基准电压的中值之间的差异ΔVr...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了用于抑制浮置区中的空穴积聚并且改进诸如绝缘栅双极等的半导体器件的开关时间的技术。该半导体器件包括形成在半导体衬底中的沟槽栅极和沟槽发射极，以及形成在半导体衬底中的、被夹持在沟槽栅极...

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：半导体衬底；第一绝缘膜，形成在外围区域中的半导体衬底的上表面上，以在平面图中围绕单元区域；以及电阻元件，形成在第一绝缘膜上，以在平面图中围绕单元区域。具有比第一绝缘膜的厚度薄的厚...

本公开涉及一种密钥更新管理系统和密钥更新管理方法。在外部存储自身被来自恶意第三方的合法旧密钥替换时，安全IP不能识别其是旧密钥并且可以被轻易地回滚，即，旧密钥被视为合法密钥并且操作。在SoC中提供OTP，并且在一个控制表区域中管理密钥环...

本公开涉及一种软件更新系统和软件更新方法。如果存储在外部存储装置中的程序本身被恶意的第三方替换为程序的合法的旧版本，则半导体装置(例如，SoC)无法识别它是程序的旧版本，并且程序可能容易回滚。OTP(一次性可编程ROM)安装在芯片中以管...

本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括形成在n型半导体衬底中的沟槽、p型主体区域、n型源极区域、形成在沟槽下部的场板电极、以及形成在沟槽上部的栅极电极。栅极电位被提供给栅极电极，源极电位被提供给源极区域和主体区域，漏极电位...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底中形成了沟槽。在该沟槽中并且在该半导体衬底的上表面上形成绝缘膜。对该绝缘膜执行离子注入。对该绝缘膜执行蚀刻处理，由此减小该绝缘膜的厚度。经由该绝缘膜在该沟槽中形成导电膜。在平面视图...

一种抖动消除电路包括时钟缓冲器和电流控制单元。该时钟缓冲器输入从由电源电压驱动的时钟传播元件输出的时钟。此外，该时钟缓冲器根据操作电流的增加而相对于电源电压减少，同时给出根据该操作电流的减少而增加的延迟时间来输出该时钟。该电流控制单元被...

本公开涉及一种处理器和编译器。当通过可编程设备来配置对循环变量、累加器变量等进行重复计数的计数器电路时，会出现处理延迟。处理器包括可编程逻辑的阵列，并且包括至少一个专用计数器电路，以用于对被重复修改的变量进行计数。

本公开的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括其中形成有MISFET的单元区域和在平面图中围绕单元区域的外围区域。在单元区域和外围区域中，n型杂质区域形成在半导体衬底中。在半导体衬底中，元件隔离部分、p型杂质区域和n型...

本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在划片步骤中出现裂纹的情况下，可以抑制裂纹向元件区域发展。在半导体晶片的主表面中形成第一划线区域和第二划线区域，第一划线区域和第二划线区域两者都限定元件区域。在第一划线区域中，形成评估深沟槽组，评估深...