一种半导体设备即使出现从负载到输出晶体管的反向电流，也能生成针对输出晶体管的正确过温度检测信号。温度感测二极管与功率晶体管相邻地形成在半导体衬底上，生成大小反映输出晶体管的温度的正向电压。过温度检测电路通过比较正向电压的大小与参考电压来...

本公开的实施例涉及半导体设备以及制造该半导体设备的方法。为了改善半导体设备的性能，一种半导体设备包括：布线衬底；半导体芯片，该半导体芯片被安装在布线衬底的第一上表面上；电子组件，该电子组件被安装在布线衬底的第一上表面上；以及加强环，该加...

本公开的各实施例涉及具有周期性P岛屏蔽的沟槽MOSFET。一种半导体结构包括第一导电类型的碳化硅半导体衬底。半导体结构还包括位于半导体衬底上方的第一导电类型的漂移层、位于漂移层上方的第二导电类型的沟道层以及位于沟道层上方的第一导电类型的...

本公开涉及寄存器组控制系统、寄存器组控制方法、程序和逻辑电路。本公开的寄存器组控制系统判断处理器中包括的多个寄存器组中的每个寄存器组是否正常，并且基于判断的结果来更新表示寄存器组中的每个寄存器组是否正常的状态信息。此外，寄存器组控制系统...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括绝缘膜、金属膜和布置在绝缘膜与金属膜之间的粘合中间膜，粘合中间膜包括在从绝缘膜到金属膜的方向上依次布置并且相互不同的第一粘合层、应力控制层、第二粘合层和阻挡金属层。绝缘膜可以包含氧化硅。

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了能够抑制半导体芯片的凸块和布线衬底的连接盘之间的键合缺陷的半导体器件。半导体器件包括半导体芯片。半导体芯片包括半导体衬底、布线层、保护膜、第一凸块和第二凸块。布线层被形成在半导体衬底上，并且具有第...

描述了两步氧化物沟槽碳化硅MOSFET。半导体器件可以包括形成在碳化硅衬底上的漂移区域。半导体器件可以包括穿透源极区域和沟道并且到达漂移区域的沟槽。半导体器件可以包括沿着沟槽排列的氧化物区域。氧化物区域可以包括底部部分、下侧部分和上侧部...

本公开的各实施例涉及用于检查半导体器件的方法。对半导体器件执行检查，该半导体器件包括被形成在半导体衬底的上表面侧的源极区、被形成在半导体衬底的下表面侧的漏极区、被形成在上表面上的沟槽以及被形成在沟槽中的栅极电极和场板电极。在检查中，源极...

本公开涉及内容可寻址存储器和半导体装置。一种内容可寻址存储器包括单元阵列、多个有效单元、全无效检测电路、搜索单元和控制单元，单元阵列能够存储多个数据条目，多个有效单元是针对数据条目中的每个数据条目而提供的，并且被配置为存储指示数据条目有...

本公开涉及内置自测试系统。提供了一种用于电子电路的内置自测试（BIST）系统。该系统包括测试电路装置和时钟电路。测试电路装置对电子电路应用测试过程。时钟电路被配置为向测试电路装置提供时钟信号，并且调节时钟信号的时钟频率。

本公开的实施例涉及半导体设备的制造方法以及半导体设备。提供了一种能够提高过电流检测的精度的半导体设备的制造方法。该半导体设备的制造方法包括半导体晶片测试工艺，该半导体晶片测试工艺包括：第一测试工艺，用于确定由于在制造半导体晶片时的制造变...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体衬底，包括：p型衬底区域、p型衬底区域上的n型掩埋层以及n型掩埋层上的p型半导体层。DTI区域形成在穿透p型半导体层和n型掩埋层以到达p型衬底区域的沟槽中。多个扇形凹口形成在沟槽的侧...

本公开的各实施例涉及半导体器件。通过精确地测量流经功率晶体管的电流的值，可以提高半导体器件的可靠性。半导体芯片包括功率晶体管和电连接到功率晶体管的源极区域的源极电极。源极电极和引线端子通过导线彼此电连接。源极电极包括用于检测流经功率晶体...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其设计方法。在不引起成对元件的特性变化的情况下，抑制了开发成本和开发周期的增加。在平面图中，多个MOS单元3Q彼此相邻地布置在半导体衬底的主表面上，多个MOS单元中的每个MOS单元由至少一个MOSFET组...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其控制方法。根据本公开的半导体器件包括：多个采样保持电路，该多个采样保持电路在不同的定时处对模拟输入信号的电压进行采样，并且将它们分别保持为多个输入电压；斜坡信号生成电路，该斜坡信号生成电路生成其电势线性...

本公开的各实施例涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括具有上表面和下表面的半导体衬底、包含半导体元件的元件区域和在平面视图中包围元件区域的外围区域。外围区域中的半导体衬底包括N型漂移层、相对于N型漂移层被设置在上表面侧...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成绝缘膜；选择性地去除绝缘膜；通过留下半导体衬底的表面的损伤层，在半导体衬底上形成金属膜，损伤层在绝缘膜被选择性地去除时被生成；通过选择性地去...

本公开的各实施例涉及半导体存储器器件和存储器补救方法。提供了一种存储器补救电路，该存储器补救电路包括存储器内置自测试(MBIST)电路，该MBIST电路在市场中的测试结果的基础上生成补救代码；寄存器，该寄存器保持所生成的补救代码；以及路...

一种低功率振荡器维持其振荡频率，而不管环境条件如何。该振荡器包括参考电流源、电压源和环形振荡器。参考电流源输出取决于第一电源电压的参考电流，并且电压源输出取决于参考电流的第二电源电压。环形振荡器的振荡频率取决于第二电源电压。

本公开的各实施例涉及主动放电方法和功率转换系统。在输入指示总线电容器的放电的放电指令信号之后的放电时段期间，实行主动放电方法。主动放电方法是为高侧的栅极驱动器和低侧的栅极驱动器生成具有不同于正常开关频率的放电开关频率的第一PWM信号和作...