本公开涉及电子设备。布线基板中包括的多个布线包括：用于将第一时钟信号和第一芯片选择信号传播到安装在前表面上的第一存储器设备和第二存储器设备的多个第一布线；以及用于将第二时钟信号和第二芯片选择信号传播到安装在后表面上的第三存储器设备和第四...

本文涉及一种半导体器件。在温度感测二极管的下层侧，沟槽被周期性地形成在半导体衬底中。源极场板经由绝缘膜布置在沟槽中。P型扩散层被形成在相邻沟槽之间。所述源极场板和所述P型扩散层被连接至源极电势。

本文涉及半导体器件。一种半导体器件包括：半导体衬底；被形成在该半导体衬底中的第一半导体区；在平面图中围绕该第一半导体区的第二半导体区；被形成在该第一半导体区上的第一导电层；被形成在该第一导电层上的第一电极；经由该第一导电层被连接至该第一...

本公开涉及制造半导体器件的方法。改进了半导体器件的可靠性。在沟槽的内部部分中和半导体衬底的上表面上形成绝缘膜。在绝缘膜上形成场板电极以填充沟槽的内部部分。通过蚀刻工艺使场板电极朝向沟槽的底部部分凹陷。使用包含CF<subgt;4&...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。n型漂移区域和p型阱区域被形成在半导体衬底中。n型第一漏极区域和n型第二漏极区域被形成在n型漂移区域中，并且n型源极区域和n型半导体区域被形成在p型阱区域中。n型半导体区域的杂质浓度低于n型源极区域的杂...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。由于半导体器件中形成在绝缘膜上的电极可以与绝缘膜分离，因此本发明可以防止电极与绝缘膜的分离。一种半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜和电极。绝缘膜形成在半导体衬底上。电极形成在绝缘膜上。该半导体器件还包括锚...

一种半导体器件包括：半导体衬底；第一半导体区，被形成在半导体衬底中；掩埋区，被形成在半导体衬底中；第二半导体区，被设置在掩埋区上方；第三半导体区，被设置在掩埋区上方；漏极区，被形成在第二半导体区中；源极区，被形成在第三半导体区中；以及栅...

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体设备，包括熔丝电路，并且熔丝电路各自包括熔丝元件和切割晶体管。熔丝元件和切割晶体管分别被布置在半导体衬底的第一主表面的第一方向上，并且在平面图中熔丝元件中的每一者被深沟槽绝缘部分中...

本公开涉及电流模式控制器的非线性暂态改进。提供了一种增加电流模式控制器的暂态响应的方法和一种具有改进的暂态响应的电流模式控制器。电流模式控制器被配置为控制高侧开关和低侧开关。电流模式控制器包括脉宽调制发生器。

本公开涉及电池管理系统、电池管理方法以及程序。电池管理系统包括第一通信连接检查单元、第二通信连接检查单元、和估计单元。第一通信连接检查单元检查连接微控制器与电池管理单元的第一通信连接的通信状态，电池管理单元获得电池元电压和组温度。第二通...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括三种类型的单元作为多个逻辑门。第一单元包括具有第一阈值电压的p型MOSFET和具有第二阈值电压的n型MOSFET。第二单元包括具有第三阈值电压的p型MOSFET和具有第四阈值电压的n型MO...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：半导体芯片，该半导体芯片具有源极电极焊盘，并且经由管芯键合材料被安装在管芯焊盘上；布线，该布线与半导体芯片的源极电极焊盘电连接；以及密封体，该密封体密封半导体芯片和布线。布线和源极...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：具有包括N型漂移区、在N型漂移区上的P型体区和在P型体区上的N型源极区的半导体层；在半导体层上的绝缘层；设置在绝缘层中的第一开口；设置在半导体层中并且从N型源极区延伸到P型体区以便在...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。焊盘被形成在层间绝缘膜上，并且绝缘膜被形成为覆盖所述层间绝缘膜和所述焊盘。开口被形成在所述绝缘膜中以暴露所述焊盘的一部分。在所述开口中，镀镍膜被形成在所述焊盘上，第一镀金膜被形成在所述镀镍膜上，并且第二...

本公开涉及非暂态计算机可读介质、协同模拟方法和协同模拟装置。一种非暂态计算机可读介质存储用于使协同模拟装置执行协同模拟方法的程序，该协同模拟装置包括第一模拟器、第二模拟器、第一通信路径和第二通信路径。第一模拟器经由第一通信路径将第一数据...

本公开涉及半导体器件、调试系统、半导体器件控制方法和调试方法。半导体器件包括：CPU，被配置为执行指令；第一寄存器，被配置为存储当前正在执行的指令的地址；第二寄存器，被配置为当功能分支发生时存储返回地址；以及生成电路，被配置为当功能分支...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。改进半导体器件的可靠性。电阻元件和沟槽在平面图中形成闭合路径。半导体器件包括：第一接触构件和第二接触构件，各自电连接栅极焊盘和电阻元件；第三接触构件和第四接触构件，各自电连接栅极布线和电阻元件；以及第五...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。下电极被形成在第一布线层中。在位于第一布线层之上的第二布线层中，形成厚度大于下电极厚度的两条布线。在第一布线层与第二布线层之间，介电膜和上电极被形成在下电极之上。电阻器元件被形成在两条布线之上...

本公开涉及功率级控制器。呈现了一种用于控制具有多个相位的功率级的控制器。该控制器生成控制信号；经由第一链路向多个相位发送控制信号；经由第二链路从每个相位接收反馈信号；对多个反馈信号求和并且得出每相位的平均电流。

本公开涉及半导体器件和半导体系统。所述半导体器件包括被供应电源电压的第一电源电压线、第二电源电压线、被提供在所述第一电源电压线和所述第二电源电压线之间的第一阻抗元件、被供应参考电压的第一参考电压线、第二参考电压线、被提供在所述第一参考电...