【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，特别是涉及一种包括被形成在多层布线层中的电容器元件和电阻器元件的半导体器件及其制造方法。
2、在最近的半导体器件中，布线层的数目一直在增加。通过在布线层之间设置电容器元件和电阻器元件，可以抑制半导体器件的平面大小的增加，并且促进半导体器件的小型化。
3、下面列出了所公开的技术。
4、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2005-191182号
5、[专利文献2]日本未审查专利申请公开第2023-58091号
6、专利文献1公开了一种电容器元件，该电容器元件具有依次地层压在其上的下电极、电容器介电膜和上电极。该下电极被形成在布线层中，并且通过用于形成布线的相同制造步骤被形成。
7、专利文献2公开了一种用于在下布线层与上布线层之间形成由诸如硅铬(sicr)的材料制成的电阻器元件的技术。
技术实现思路
1、如在专利文献1中，例如，电容器元件用于需要高相对精度的高精度...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
8.根据权利要求6所述的半导体器件，包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求1所述的半导体器件，
11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
12.根据...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
8.根据权利要求6所述的半导体器件，包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求1所述的半导体器件，
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。