本公开涉及半导体装置、读取方法和程序。本发明提供了一种半导体装置，包括即使在所述半导体装置被推出后也能够进行数据写入的非易失性存储器(NVM)。当读取请求被发出时，半导体读取和输出所述NVM的所述区域中所存储的所述内容，代替只读存储器中...

本公开涉及半导体设备。保护半导体设备免受故障攻击(FIA)。复位数据传送控制器RDTC执行N次数据传送，在第一次数据传送期间将被存储在第一存储器MEM1a中的数据DT传送到主寄存器REGm，并且在第N次数据传送期间将被存储在第一存储器M...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底、被形成在半导体衬底上的多层布线结构、被形成为以便围绕电路形成区域并且穿透多层布线结构的保护环，以及被形成在多层布线结构上的焊盘。保护膜被形成为以便覆盖多层布线...

本公开涉及半导体设备。实现了半导体设备的模数转换器的高速化。一种电压量化器电路，包括：第一比较器，该第一比较器包括输入差分输入电压的第一输入晶体管，并且定义数字信号的第一位的值；以及第二比较器，该第二比较器包括不同于第一输入晶体管的第二...

本公开涉及故障分析设备和故障分析方法。故障分析设备是用于分析配备有逻辑电路和存储器电路的半导体设备的故障的。其具有存储设备和处理器。存储设备存储通过测试存储器电路获得的故障位数据和对逻辑电路的测试结果进行故障诊断而获得的故障诊断数据。处...

本公开涉及具有可拆卸电子元件和无线充电电池的生物信号监控系统。用于感测和处理生物信号的系统和方法被描述。示例系统可以包括第一设备和第二设备，第一设备被配置为感测至少一个生物信号。第二设备可以从第一设备接收至少一个生物信号。第二设备可以经...

本公开涉及故障检测电路、半导体器件和故障检测方法。在目标电路中设置一种故障检测电路，该目标电路具有用于与第一时钟信号同步操作的第一电路区域，该故障检测电路包括用于输出通过与第一时钟信号同步地转变电压电平而获取的第一检测结果的第一检测电路...

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。管芯焊盘的第一表面具有：第一区域；第二区域，包括分别与半导体芯片的四个角重合的点；以及第三区域，位于第二区域周围。此外，多个沟槽被形成在管芯焊盘中的第二区域处。此外，多个沟槽中的每一者终止于...

本公开涉及半导体器件。根据一个实施例，所述半导体器件1包括：半导体衬底，具有上表面和下表面；以及发射极布线，其中当从所述上表面侧观察时，所述半导体衬底具有包括多个IGBT的有源区域、端接区域和主结合区域，其中所述主结合区域的所述半导体衬...

本公开涉及半导体器件。根据实施例的半导体器件包括具有在半导体衬底的第一区域中形成的第一MOSFET的半导体芯片；在第一区域内的第二区域中形成的检测元件；在第一区域之上形成并且与第一MOSFET的源极连接的源极电极；以及被布置为覆盖检测元...

本公开的各实施例涉及半导体存储器设备。为了减少数据写入所需的时间。提供了一种半导体存储器设备，该半导体存储器设备包括存储器单元，该存储器单元具有包括选择栅极和存储器栅极的栅极电极、连接到源极的源极线和连接到漏极的位线；提取部件，该提取部...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了提高阻挡金属膜的粘附性的技术。半导体器件包括：浮置区域，被形成在沟槽栅极电极与沟槽发射极电极之间；堆叠膜，被形成在浮置区域上；层间绝缘膜，被形成在堆叠膜上；插塞，穿透层间绝缘膜并且到达堆叠膜；阻挡...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在平面图中，半导体芯片的电极焊盘包括：第一区域，包含电极焊盘的暴露部分的中心；第二区域，位于第一区域周围；以及第三区域，位于第一区域周围并且位于第一区域与第二区域之间。在本文中，将形成在半导体...

本公开涉及一种半导体器件。改进半导体器件的可靠性。电阻元件Rg被填充在形成于半导体衬底的阱区PW中的沟槽TR中。电阻元件Rg和沟槽TR在平面图中具有无端环形状。电阻元件Rg连接到第一接触构件PG和第二接触构件PG，该第一接触构件PG电连...

本公开涉及存储器设备。提供了通过指定初始化数据批量初始化存储器单元数据的一种存储器设备，或通过部分地屏蔽初始化区域以批量初始化存储器单元数据的一种存储器设备。提供的存储器设备包括控制电路、IO(输入/输出)输入电路和选择电路，控制电路接...

本公开涉及功率级控制器。提出了一种用于控制具有一个或多个相的功率级的控制器。该控制器包括：参考电路，该参考电路生成参考信号；斜坡发生器，该斜坡发生器基于功率级的反馈信号来生成反馈斜坡信号；以及调制器，该调制器生成用于控制功率级的至少一个...

提出了一种功率转换器控制器。该控制器包括用于生成斜坡信号的斜坡生成器、以及斜坡调整器。斜坡调整器将转换器的反馈信号与阈值信号进行比较以获得比较信号，并且基于比较信号来调整斜坡信号的振幅。还提出了一种包括上述控制器的恒定导通时间COT功率...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在本公开中，通过ALD方法在使用包含卤族元素和金属元素的材料气体的工艺中，在碳化硅半导体衬底上形成栅极绝缘膜。

本公开涉及半导体器件。半导体器件的所述性能可以被提高。半导体芯片的多个突出电极包括：多个第一突出电极，被布置在与绝缘层的第一区域重叠的位置处；多个第二突出电极，被布置在与所述绝缘层的第二区域重叠的位置处；以及多个第三突出电极，被布置在与...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一介电膜、在第一介电膜上设置的电阻器元件以及在电阻器元件上设置的第二介电膜。电阻器元件包括硅、铬和碳。电阻器元件中的硅浓度从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的上表面增加，并且从电阻器元...