【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及一种半导体器件，并且可以被应用于例如ie型沟槽栅极igbt。
2、下面列出了所公开的技术。
3、[专利文件1]日本特开第2023-35453号
4、在作为功率半导体类型的igbt(绝缘栅双极晶体管)中，发射极布线可以由阻挡金属膜和导体膜组成，并且可以通过绝缘膜中形成的过孔被电连接至半导体衬底上形成的发射极区域和基极区域(例如专利文件1)。
技术实现思路
1、如上所述，当在绝缘膜(层间绝缘膜)和过孔(插塞)上形成发射极布线(发射极电极)时，阻挡金属膜和层间绝缘膜之间的粘附性可能较低。
2、通过本说明书的描述和附图，其他问题和新颖特征将变得显而易见。
3、本公开的代表性内容的简要解释如下。即，半导体器件包括：浮置区域，被形成在沟槽栅极电极与沟槽发射极电极之间；堆叠膜，被形成在浮置区域上；层间绝缘膜，被形成在堆叠膜上；插塞，穿透层间绝缘膜并且到达堆叠膜；阻挡金属膜，被形成为覆盖层间绝缘膜和插塞；以及金属膜，被形...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求1所述的半导体器件，
11.根据权利要求10所述的半导体器件，
12.根据权利要求1所述的半
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。