半导体器件制造技术

本公开涉及一种半导体器件。改进半导体器件的可靠性。电阻元件Rg被填充在形成于半导体衬底的阱区PW中的沟槽TR中。电阻元件Rg和沟槽TR在平面图中具有无端环形状。电阻元件Rg连接到第一接触构件PG和第二接触构件PG，该第一接触构件PG电连接到栅极焊盘GP，该第二接触构件PG电连接到栅极布线GW。此外，将发射极电极EE电连接到阱区PW的第三接触构件PG在Y方向上被定位在第一接触构件PG与第二接触构件PG之间由无端环形状的电阻元件Rg包围的区域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，并且更特别地，涉及配备有电连接到栅极焊盘的电阻元件的半导体器件。

技术介绍

1、作为功率器件，具有垂直沟槽栅极结构的绝缘栅双极晶体管(igbt)是已知的。在配备有功率器件的半导体器件(半导体芯片)中，电阻元件连接到栅极焊盘作为保护电路的一部分，以保护半导体器件免受施加到栅极焊盘的浪涌电压的影响。

2、例如，日本专利公开第2022-82244号(专利文献1)公开了一种配备有igbt和连接到栅极焊盘的电阻元件的半导体器件。电阻元件经由绝缘膜(氧化硅膜)形成在半导体衬底上提供的多晶硅膜上。

技术实现思路

1、例如，在使用三相电机的电机控制系统中，igbt被用作电机的驱动器。高侧igbt的发射极电极和低侧igbt的集电极电极是串联连接的。

2、如专利文献1中公开的，由于切割期间的损坏以及其他原因，形成在高侧igbt的半导体衬底的下表面上的p型(第二导电类型)集电极区中可能出现缺陷。在这种情况下，当低侧igbt高速切换时，在高侧igbt中出现碰撞电离，并且载流子(空穴)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

7.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中在所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

7.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中在所述第二方向上，所述第三接触构件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村俊一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：