本文涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种制造根据本公开的半导体器件的方法包括：从具有上表面和下表面的半导体衬底的上表面引入具有第一导电类型的杂质；在上表面上形成金属层；从下表面引入氢并且形成第一半导体层；对半导体衬底执行第一热处理...

本公开涉及仿真装置、仿真方法和非暂时性计算机可读介质。仿真装置包括循环指令序列检测器和指令计算部分。循环指令序列检测器检测目标程序中包括的循环指令序列并且生成循环指令序列检测信号。当生成循环指令序列检测信号时，指令计算部分执行一次循环指...

本公开的实施例涉及半导体设备及其制造方法。半导体设备包括：半导体衬底；层间绝缘膜；第一电极焊盘和第二电极焊盘；以及第一镀膜和第二镀膜。半导体衬底具有第一主表面和第二主表面，第二主表面与第一主表面相对。半导体衬底充当n型漏极区域。半导体衬...

本公开涉及一种半导体器件。半导体器件包括在辅助元件与半导体衬底的主表面之间的边界构件，以减少覆盖辅助元件的保护膜的台阶。提供了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底、形成在第一区域中的晶体管、形成在第二区域中的辅助元件、形成在第三区...

本公开涉及半导体器件。一种保护单元具有由多个第一MISFET构成的第一MISFET组和由多个第二MISFET构成的第二MISFET组。第一MISFET组和第二MISFET组彼此分开设置。第一MISFET组电连接到第一电源布线组和第一接地...

本文涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一电极；被布置在第一电极上的N型半导体层；被布置在N型半导体层上的P型半导体层；被布置在P型半导体层上的第一绝缘层，第一绝缘层在平面图中围绕并且分隔...

本公开涉及制造半导体器件的方法。在第一区域中形成第一堆叠结构和第一侧壁间隔物。在第二区域中形成包括金属膜的第二堆叠结构。在第一区域中，在半导体层上形成外延层。去除第一侧壁间隔物。在从第一绝缘膜暴露的外延层的表面上形成第一氧化硅膜。通过使...

本公开涉及运送半导体器件的方法和载带。一种运送半导体器件的方法包括：在口袋部分中放置半导体器件的步骤、将所述盖带附接至所述载带以覆盖放置在所述口袋部分中的所述半导体器件的步骤以及运送包含所述半导体器件的所述载带的步骤。此处，所述口袋部分...

本公开涉及通信设备和通信方法。一种通信设备包括通信控制单元。通信控制单元包括多个协议处理单元和多个接收数据存储区域。接收消息被输入到多个协议处理单元中，该接收消息是由通信设备接收的CAN消息。在接收消息的目的地是与协议处理单元本身相对应...

本公开涉及调节器和功率器件，一种调节器包括参考电位生成电路、差分放大器和晶体管，参考电位生成电路生成用作中间电位和低于该中间电位的中间电位的参考的参考电位，差分放大器被供应中间电位作为低电位侧电源，并且放大与中间电位相对应的反馈电位与参...

一种半导体器件包括可变电阻存储器单元阵列、电连接到可变电阻存储器单元阵列的感测放大器和电连接到感测放大器的钳位电压生成电路。感测放大器包括放大感测节点处的电压的放大单元、具有栅极端子被电连接的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的第一...

本发明涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：第一电流生成器电路，生成第一电流，具有正温度系数并且不依赖于第一电源电压；第二电流生成器电路，生成第二电流，具有负温度系数并且不依赖于第一电源电压；以及第三电流生成器电路，基于第一电流和第二电...

本公开涉及半导体器件。改进半导体器件的可靠性。保护单元ESD1a包括由多个n型MISFET 1Q构成的MISFET组1QA，以及由多个p型MISFET 2Q构成的一对MISFET组2QA。MISFET组1QA和该对MISFET组2QA分...

本公开涉及制造半导体器件的方法。具有开口部的抗蚀剂图案被形成在导电膜上，该开口部暴露导电膜的位于栅极绝缘膜上的一部分。接下来，使用抗蚀剂图案作为掩模执行各向异性蚀刻处理，以选择性地去除从抗蚀剂图案暴露的导电膜，并且从剩余导电膜形成栅极图...

本文涉及半导体设备、用于控制半导体设备的方法和程序。一种能够执行高效信号处理的半导体设备，提供对该半导体设备的控制方法和程序。半导体设备包括第一信号处理单元、第二信号处理单元和控制单元。控制单元包括：检测单元，用于检测由第一信号处理单元...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括铁电存储器单元，并且铁电存储器单元包括选择晶体管和存储器晶体管。选择晶体管的栅极介电膜包括铁电膜，并且存储器晶体管的栅极介电膜包括铁电膜。

本公开涉及半导体器件及其制造方法。通过降低配备有铁电膜的铁电存储器的所述操作电压来提高半导体器件的所述性能。在半导体衬底上，形成包括顺电膜(它为绝缘膜)和在所述绝缘膜上由三层或更多层铁电层制成的所述铁电膜的层压体，并且在所述铁电膜上形成...

本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件具有：第一导电类型的第一半导体层；与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，位于第一半导体层中；第二导电类型的第三半导体层，位于第二半导体层中，并且具有比第二半导体层高的杂...

本公开涉及半导体设备器件及其制造方法。一种半导体器件，包括第一端子；振荡电路，该振荡电路生成第一时钟信号和第二时钟信号；AD转换电路；校正电路，该校正电路基于存储在存储电路中的校正数据校正由AD转换电路获得的数字信号，并且输出该数字信号...

本公开涉及半导体器件。根据一个实施例，一种半导体器件包括：半导体衬底，具有上表面和下表面；第一导电层，被形成在所述半导体衬底上方；以及第二导电层，被形成在所述第一导电层的所述上表面上，其中，当从上方观察时，所述第二导电层被形成在所述第一...