本公开涉及制造半导体器件的方法。一种半导体器件的制造方法包括制备具有上表面和下表面的半导体衬底；在上表面上形成具有多个开口的第一掩模，该第一掩模被划分为第一区域和第二区域；形成第二掩模，该第二掩模暴露布置在第一区域中的第一掩模的一部分并...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的第一主表面上形成具有上部分和下部分的层间绝缘膜。此外，形成穿透层间绝缘膜的接触孔，并且在接触孔中形成接触构件。在横截面视图中，接触孔在第一方向上的宽度在接触孔的上端处比在下端处宽...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。在接触孔中，层间绝缘膜的第一侧表面与第一导电膜的第二侧表面间隔开，使得第一导电膜的上表面的一部分从层间绝缘膜暴露。在接触孔中，绝缘膜的第三侧表面与第一导电膜的第二侧表面间隔开，使得第一导电膜的下表面的一...

本公开涉及图像处理设备和图像处理方法。即使当卷积神经网络中的特定层处的处理结果被输入到下一层和另外的后续层时，处理也可以更适当地执行。卷积神经网络中所包括的子网络包括第一层、第二层、第三层和第四层，第一层的输出被输入到第二层，第二层的输...

本公开的实施例涉及半导体设备。提供了一种被配置为抑制因温度增加而增加的功耗的增加的半导体设备。逻辑电路具有实现操作的下限电压因温度增加而被降低的特性。参考电压生成电路基于因温度增加而降低的负系数电压Vpn2来生成参考电压。电压调节器电路...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有上表面的布线衬底、安装在布线衬底上的半导体芯片以及经由多个粘合层固定在布线衬底上的加强环。上表面是四边形形状，并且可以绘制第一中心线和第二中心线以及第一对角线和第二对角线。加强环具有四...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。栅极电极的引出部分的上表面的位置高于栅极电极的有源部分的上表面。绝缘膜具有经由侧壁间隔物被定位在栅极电极的有源部分的侧表面上的第一凸起部分，以及经由侧壁间隔物被定位在栅极电极的引出部分的侧表面上的第二凸...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。为了提供一种能够防止接触势垒金属膜从沟槽栅极引出电极剥离的半导体器件。在半导体衬底上限定的栅极布线引出区域MGR中，凸部被形成在沟槽栅极引出电极TGI上，朝向栅极引出接触构件延伸。凸部通过自然氧化膜和多...

本公开的实施例涉及半导体设备。提供一种宽带隙半导体设备，该宽带隙半导体设备对栅极电极(沟槽)与穿通阻止层之间的错位具有较高的鲁棒性。一种技术概念是，以在建立平面的X方向和Y方向中的Y方向上延伸的沟槽在X方向上以预定间隔被布置为前提，由在...

本公开的实施例涉及制造半导体设备的方法以及半导体设备。写入驱动器使用升压电压或调节器电压来向OTP存储器单元写入二进制数据中的一个二进制数据。OTP电压选择寄存器使写入驱动器选择两个电压中的一个电压。修整寄存器保持电压设置值，该电压设置...

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括存储器阵列。在平面图中，所述存储器阵列具有布置在中心部分处的存储器单元区域以及布置在外圆周部分处的虚设单元区域。在所述虚设单元区域中，布置连接至字线的虚设单元，所述虚设单元具有晶体管，所述晶体管的...

一种半导体器件可以在满足通信标准的同时提高测距精度。基带电路BBC在传输期间将原始脉冲信号分割为多个分割脉冲信号，使得每个频率带宽落在由UWB通信标准指定的频率带宽范围内并且与公共频率范围重叠，并且以预定传输间隔经由模拟前端电路AFE向...

本公开涉及信息处理设备和信息处理方法。提供了一种信息处理设备，该信息处理设备使数据传输单元的进度与计算处理单元的处理定时同步。信息处理设备包括外部总线连接单元，该外部总线连接单元用于将数据传输单元、本地存储器和命令列表处理单元连接到外部...

本公开涉及半导体器件和晶格状鳍片。根据一个实施例，半导体器件包括：包括半导体芯片的半导体模块，半导体芯片具有第一表面和第二表面；以及晶格状鳍片，靠近半导体芯片的第二表面侧。晶格状鳍片包括第一晶格状本体和第二晶格状本体，第一晶格状本体包括...

本公开的实施例涉及半导体设备和写入方法。一种半导体设备包括多个数据线、连接到多个数据线的多个存储器单元、以及多个FF电路。半导体设备还包括存储器阵列电路，存储器阵列电路包括输入电路，输入电路在写入期间被供应有高电压并根据FF电路中保持的...

本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底SB的背表面研磨成使得半导体衬底中央部分的厚度小于半导体衬底周边部分的厚度之后，在半导体衬底的背表面形成包括由银或铜制成的膜的金属膜。之后，通过金属膜将划片带粘合到半导体衬底的背表面...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括半导体衬底、势垒金属层和接触插塞。半导体衬底包括金属硅化物区域。接触沟槽被提供在半导体衬底中。势垒金属层被形成在接触沟槽内。接触插塞被形成在势垒金属层上。金属硅化物区域与势垒...

本公开的各实施例涉及半导体设备、控制单元平衡的方法以及电池组。提供了一种改进的单元平衡。基于串联耦合的每个单元的电压来估计每个电池单元在每个时间点处的充电状态，计算在每个时间点之间的时段期间流过多个电池单元的电流的积分值，基于每个电池单...

本公开涉及半导体器件、平衡电池模块的方法以及电池模块系统。提供一种半导体器件，所述半导体器件包括串联连接的第一电池模块和第二电池模块，所述第一电池模块包括第一控制部分，所述第一控制部分控制其中多个电池单元串联连接的第一单元组；以及控制器...

本公开涉及半导体器件及其控制方法。根据一个实施例，一种半导体器件包括控制器，在连接IGBT的集电极、MOSFET的漏极和二极管的阴极并且连接IGBT的发射极、MOSFET的源极和二极管的阳极的元件中，控制器控制作为IGBT的栅极的第一栅...