本公开的各实施例涉及多核系统和读取方法。一种多核系统包括第一处理器核、耦合至第一处理器核的第一存储器、包括耦合至第一存储器的第一DMA单元的第一通信IF、第二处理器核、耦合至第二处理器核的第二存储器、包括耦合至第二存储器的第二DMA单元...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种开关电路在外部检查设备被连接到外部端子的状态下将外部检查设备连接到第一内部电路、第二内部电路或者第一内部电路和第二内部电路两者。开关控制电路基于来自外部的测试设置信号而选择外部检查设备在开...

一种根据实施例的图像处理设备包括：图像分割单元，根据用于图像处理的内核的大小，将输入图像数据分割成第一分割图像数据和具有与该第一分割图像数据的预定重叠区域的第二分割图像数据；重用数据确定单元，确定在对第一分割图像数据中的第二分割图像数据...

本公开涉及一种半导体器件，其中半导体芯片包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的多层布线层，多层布线层中的至少一层被形成有导电图案。导电图案被形成为在平面图中连续地围绕下电感器和上电感器。

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法以及设置芯片组的方法，其中半导体器件包括：第一半导体芯片，具有第一功率晶体管和温度感测二极管；以及第二半导体芯片，具有第二功率晶体管但不具有温度感测二极管。

一种半导体器件包括：裸片焊盘，具有上表面；半导体芯片；多个引线；以及多个导线。上表面包括：其中安装半导体芯片的第一区域；在平面视图中围绕第一区域的第二区域；以及在平面视图中围绕第二区域的第三区域。此外，第一金属膜被设置在第二区域中。此外...

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括形成在有源区中的熔丝晶体管。在第一方向上，有源区由第一元件隔离膜和第二元件隔离膜限定。熔丝晶体管包括栅极电介质膜、栅极电极和半导体区域，半导体区域在与第一方向垂直的第二方向上形成在...

一种半导体器件，包括：具有第一主表面和第二主表面的半导体衬底、多个层间介电膜和堆叠在第一主表面上的多个布线层。多个层间介电膜中的每个层间介电膜插入多个布线层中的两个相邻布线层之间以及在第一方向上最靠近第一主表面的多个布线层中的一个布线层...

本公开的各实施例涉及半导体设备和物理量测量设备。一种半导体设备包括发送设备和接收设备，该接收设备通过从天线接收经由测量对象的发送信号来生成解调信号，并且对解调信号执行处理。发送设备被配置为在第一相位开始调制。接收设备被配置为提前存储第一...

一种制造半导体器件的方法，包括：场板电极经由第一绝缘膜而形成在沟槽的内部；场板电极的另一部分被选择性地去除，使得场板电极的一部分被作为引线部分保留；在第一绝缘膜凹陷之后，保护膜被形成在第一绝缘膜上；栅极绝缘膜形成在沟槽的内部，并且第二绝...

本公开涉及DC‑DC转换器、控制方法和控制程序。一种DC‑DC转换器包括：第一开关元件，被提供在外部输入端子与平滑滤波器的电感器之间；第二开关元件，被提供在电感器与参考电压端子之间；控制电路，用于根据输出电压的上限值和下限值来对第一开关...

本公开的各实施例涉及过电压保护电路、连接器和半导体设备。根据一个实施例，一种过电压保护电路包括：电流输出电路，包括布置在电源与CC端子之间的第一晶体管和布置在第一晶体管与CC端子之间的第二晶体管，该电流输出电路向要被驱动的第一晶体管输出...

本公开的各实施例涉及半导体设备、用于半导体设备的控制方法和控制程序。一种故障分析设备，用于分析装备有逻辑电路和存储器电路的半导体设备的故障。其具有存储设备和处理器。存储设备存储通过测试存储器电路获得的故障位数据和通过对逻辑电路的测试结果...

本公开的实施例涉及信息输入装置。本发明的目的在于提供一种能够实现高精度的触摸操作的信息输入装置。信息输入装置包括：第一表面，用于显示输入请求信息；第二表面，用于输入输入请求信息；视点计算器，用于计算输入人员的视点方向；以及坐标校正器，用...

从抗氧化掩膜层暴露的半导体衬底被热氧化以形成场氧化层。掩膜层具有带有第一宽度的多个掩膜部分和带有比第一宽度小的第二宽度的多个掩膜部分。在热氧化过程中，氧化物膜与场氧化物膜被整体地形成在掩膜部分之下，并且氧化物膜与场氧化物膜被整体地形成在...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制作方法。一种低耐电压MISFET和一种高耐电压MISFET形成在SOI衬底上。低耐电压MISFET的接通操作和关断操作由第一栅极电位和背栅电位控制，第一栅极电位被提供到第一栅极电极，并且背栅电位被提供...

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中两个电阻元件各自被形成为在平面图中与栅极垫和栅极布线中的每一者的部分重叠，并且电连接到栅极垫和栅极布线。p型阱区域被形成为在平面图中与两个绝缘膜、两个电阻元件、栅极垫、栅极布线、以及发射极电极中...

本公开的各实施例涉及半导体设备。其中发送时段和接收时段交替重复的半导体设备的电路面积被减小。半导体设备包括发送电路和接收电路。接收电路包括增益控制电路，该增益控制电路在接收时段期间对输入信号进行采样以调节接收电路的增益并且在发送时段期间...

本公开涉及一种制造半导体器件的方法，半导体器件的可靠性被改进。场板电极形成在沟槽内部的绝缘膜上。接下来，通过对绝缘膜进行各向同性蚀刻过程，绝缘膜被减薄，并且场板电极的上部从绝缘膜暴露。接下来，对从绝缘膜暴露的场板电极执行各向同性蚀刻过程...

本发明涉及双向功率因数校正控制。描述了用于操作电压转换器以减少电流尖峰的装置、设备和系统。控制器可以测量开关电路的交流(AC)电压的电流的反馈。控制器可以测量开关电路的直流(DC)电压。控制器可以使用电流的反馈操作电流控制环路以确定目标...