本公开涉及一种半导体设备和成像设备，其中被设置在半导体设备中的可编程增益放大器包括全差分放大器，该全差分放大器被配置为将具有偏置电压的差分输入电压放大。第一校正电压和第二校正电压分别经由第一电阻元件和第二电阻元件而被输入到全差分放大器的...

本公开的各实施例涉及无线通信设备和方法。第一无线通信设备中的指定单元基于与第二无线通信设备的连接将被断开的可能性来确定该第二无线通信设备是否是优先候选设备。当通信控制单元从连接控制单元接收到与该第二无线通信设备进行通信的许可请求时，它向...

各自包括存储器单元阵列、输入/输出电路、字线驱动器和控制电路的多个SRAM宏被安装在半导体芯片上。每个SRAM宏包括：确定块，被布置在控制电路中并且被配置为基于SRAM宏的电源电压来生成用于确定读取辅助量和写入辅助量的模式信号；以及辅助...

数据信号接收电路通过将数据信号与参考电位存储单元中的参考电位进行比较来输出二元电平数据信号。数据选通信号接收电路通过比较差分数据选通信号中的一者与另一者来输出二元电平数据选通信号。控制电路通过初始训练来调整参考电位，使得参考电位存储单元...

一种半导体器件包括N沟道型MOSFET的第一半导体元件、设置在第一半导体元件旁边的N沟道型MOSFET的第二半导体元件、以及围绕第一半导体元件和第二半导体元件的DTI，第一半导体元件连接到第一电路，并且第二半导体元件连接到不同于第一电路...

在正常操作期间，设备状态监测单元监测与第一设备的资源的使用相关的状态，并且存储监测信息。设备状态监测单元监测第二设备的状态，并且存储监测信息。当检测到第二设备中发生故障时，比较单元通过基于所存储的监测信息，将在故障发生之前由第二设备执行...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件的制造方法，包括：在MIM区域和布线区域中依次沉积第一导体膜、介电膜和第二导体膜；选择性地去除第二导体膜，由此从第二导体膜形成电容器元件的上电极；选择性地去除所暴露的介电膜，从而...

一种半导体器件包括：包括晶体管的局部传感器，该局部传感器布置在半导体芯片中的测量目标区域附近，并且根据测量目标区域中的温度来输出晶体管的漏电流作为传感器信号；布置在半导体芯片上并且将来自局部传感器的传感器信号转换为数字计数值的转换电路；...

一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第一布线，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有第一电位；上电感器，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有不同于第一电位的第二电位；无机绝缘膜，被形成在多层布线层、...

通过被布置于在协议上不同的第一网络与第二网络之间的帧转换装置，根据第一网络的帧的目的地将第一网络的这些帧分类到根据第二网络的目的地的第一缓冲区和第二缓冲区中，并且输出第二网络的帧，其中包括目的地的一个标头被添加到从第一缓冲区和第二缓冲区...

一种半导体器件包括：第一元件，其被设置在第一区域中并且包含高介电常数绝缘膜；第二元件，其被设置在第二区域中；以及元件隔离部，其被设置在第一区域与第二区域之间并且将第一元件与第二元件之间电隔离。在元件隔离部的表面上形成有台阶部。该半导体器...

一种图像处理装置，包括：接收电路，接收在高度方向和水平方向上被扩展的图像数据；线存储器，具有用于每个通道的寄存器组，该寄存器组能够保持沿高度方向以行为单位在水平方向上被扩展的数据；移位数据生成电路，生成包括图像数据的高度方向的空间位置被...

本公开的各实施例涉及电子设备。作为第二变压器的组件的第二下部电感器与第二上部电感器之间的第二距离比作为第一变压器的组件的第一下部电感器与第一上部电感器之间的第一距离小。

介电膜IF被设置在半导体衬底SB上，并且多个电熔丝部FU被设置在介电膜IF上。n型第一阱区WL1被设置在半导体衬底SB中以及半导体衬底SB的表面上。第一阱区WL1通过将位于多个电熔丝部FU中的每个电熔丝部FU下方的阱区WLa彼此整体地连...

一种击穿电压控制电路，包括：高电压监测电路；以及第一电压切换电路1112，其连接到高电压监测电路，该高电压监测电路基于被输入到该高电压监测电路的输入信号生成第一参考信号，第一电压切换电路将被施加到该第一电压切换电路的第一施加电压与第一参...

本文公开了制造半导体器件的方法。在晶片测试步骤中，通过使用设置在划线区域中并且电连接到虚设半导体元件的测试电极来检查形成在半导体衬底的划线区域中的虚设半导体元件。在划片步骤中，通过使用划片刀片来切割该半导体衬底的该划线区域。测试电极包括...

本公开涉及半导体器件。一种半导体器件安装在终端中，该终端设置有成像器件、电子校正单元、运动检测传感器和存储器单元，该电子校正单元被配置为通过使用由成像器件捕获的图像数据来电子校正拍摄期间的模糊，并且半导体器件包括算术运算单元和存储单元，...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件的制造方法包括：(a)制备第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有上表面和下表面；(b)在(a)之后，在半导体衬底的上表面上形成层间介电膜；(c)在(b)之后，在层间介电膜上形...

一种半导体器件，包括：具有第一端子的基底材料；半导体芯片，具有与第一端子电连接的第一电极垫、要被提供电源电位的第二电极垫以及要被提供基准电位的第三电极垫，并且半导体芯片经由第一构件被安装在基底材料上；芯片电容器，具有第一电极和第二电极，...

本公开涉及一种制造半导体器件的方法。这是具有第一区域、第二区域和第三区域的半导体器件的制造方法。在第二区域中的半导体衬底上形成第二栅极电介质膜。在第一区域中的半导体衬底上形成薄的第一栅极电介质膜。在第一栅极电介质膜上和第二栅极电介质膜上...