【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体器件及其制造方法。
2、下面列出公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公布第2014-154789号
4、专利文献1公开一种半导体器件，该半导体器件包含存储器单元区域、形成有misfet(金属绝缘体半导体场效应晶体管)的外围电路区域以及被形成在存储器单元区域和外围电路区域之间的元件隔离区域。misfet包含用于栅极绝缘膜的高介电常数(高k)绝缘膜和用于栅极电极的导电膜。
5、在专利文献1中描述的半导体器件的制造方法中，存储器栅极电极被形成在存储器单元区域中，并且覆盖存储器栅极电极的绝缘膜被形成为使得从存储器单元区域到元件隔离区域的一部分连续。结果，由绝缘膜引起的台阶部被形成在元件隔离区域上。此后，高介电常数绝缘膜和导电膜被形成在外围电路区域、具有台阶部的元件隔离区域和存储器单元区域上，并且然后被图案化。结果，包含高介电常数绝缘膜和导电膜的残留部被形成在台阶部的侧表面上。
技术实现思路
1、残留部具有上表面和侧表面，并且高介电常数绝缘膜出现在残留部的上表面和侧表面上。因此，在半导体器件的制造方法中，在残留部的上表面和侧表面暴露的状态下执行工艺时，构造高介电常数绝缘膜的材料的一部分可以被脱离并重新粘附到诸如半导体器件的另一区域这样的非预期位置或制造设备中的非预期位置。
2、其它目的和新颖特征将从本说明书和附图的描述中变得显而易见。
3、根据本公开，一种半导体器件包括：第一
4、根据本公开，在半导体器件的制造方法中，半导体器件包括：第一元件，其包含被设置在第一区域中的第一高介电常数绝缘膜；第二元件，其被设置在第二区域中；以及元件隔离部，其被设置在第一区域与第二区域之间并且将第一元件与第二元件之间电隔离。半导体器件的制造方法包括：制备半导体衬底(substrate)，该半导体衬底具有从第一区域延伸到第二区域的主表面和被设置在主表面上的元件隔离部，并且具有在元件隔离部的表面上的台阶部；形成涂覆膜，该涂覆膜覆盖具有高介电常数的绝缘膜和绝缘膜的上表面，从而覆盖主表面和元件隔离部；以及部分地去除绝缘膜和涂覆膜以形成虚设图案，从而跨越台阶部。虚设图案被形成为包含由绝缘膜形成的第一高介电常数绝缘膜和由涂覆膜形成的导电膜。半导体器件的制造方法另外包括：形成侧壁绝缘膜，该侧壁绝缘膜覆盖从虚设图案的两个侧表面暴露的第一高介电常数绝缘膜。
5、根据本公开，可以提供一种半导体器件，其中构造高介电常数绝缘膜的材料到非预期位置的重新粘附被抑制。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含第一元件、第二元件和元件隔离部，所述第一元件具有设置在第一区域中的第一高介电常数绝缘膜，所述第二元件设置在第二区域中，所述元件隔离部设置在所述第一区域与所述第二区域之间并且将所述第一元件与所述第二元件之间电隔离，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，包括：
13.根据权利要求11所述的方法，
14.根据权利要求13所述的方法，
15.根据权利要求13所述的方法，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，<...
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