【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体器件及其制造方法。
2、下面列出公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公布第2014-154789号
4、专利文献1公开一种半导体器件，该半导体器件包含存储器单元区域、形成有misfet(金属绝缘体半导体场效应晶体管)的外围电路区域以及被形成在存储器单元区域和外围电路区域之间的元件隔离区域。misfet包含用于栅极绝缘膜的高介电常数(高k)绝缘膜和用于栅极电极的导电膜。
5、在专利文献1中描述的半导体器件的制造方法中，存储器栅极电极被形成在存储器单元区域中，并且覆盖存储器栅极电极的绝缘膜被形成为使得从存储器单元区域到元件隔离区域的一部分连续。结果，由绝缘膜引起的台阶部被形成在元件隔离区域上。此后，高介电常数绝缘膜和导电膜被形成在外围电路区域、具有台阶部的元件隔离区域和存储器单元区域上，并且然后被图案化。结果，包含高介电常数绝缘膜和导电膜的残留部被形成在台阶部的侧表面上。
技术实现思路
1、残留部具有...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包含第一元件、第二元件和元件隔...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，<...
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