【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，更详细地说，涉及基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
1、为了制造半导体元件，在真空环境的基板处理装置执行各种工艺。例如，可进行在工艺腔室内装载基板并且在基板上沉积薄膜或者蚀刻薄膜等的工艺。在此，基板被设置在工艺腔室内的基板支撑部支撑，通过设置在基板上部的气体喷射部可向基板喷射工艺气体。
2、另一方面，在基板上形成一个或者多个薄膜图案时，在基板上可暴露多个薄膜。例如，氧化膜、氮化膜等的绝缘膜可暴露在基板上。然后，可增加选择性蚀刻这些绝缘膜中的一种绝缘膜的工艺。近来，因为半导体元件的高集成化，这种绝缘膜的厚度变薄，因为在这种绝缘膜的蚀刻步骤中选择比不足，存在不希望蚀刻的绝缘膜被蚀刻的问题。
3、另外，若绝缘膜的厚度变薄，则蚀刻液难以渗透，因此限制通常的湿式蚀刻。虽然正在研究利用卤化物基蚀刻气体的干式蚀刻，但是存在蚀刻选择比不高的问题。进一步地，在绝缘膜下部存在半导体层的情况下，出现在蚀刻绝缘膜时半导体层也一同被蚀刻的问题。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种基板处理方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的反应空间，所述基板形成有基底层与复合膜图案，所述复合膜图案为在所述基底层上至少交替层叠多个第一绝缘层及多个第二绝缘层而成；基板支撑部，结合于所述工艺腔室，以支撑所述基板；气体喷射部，结合于所述工艺腔室的上部，以与所述基板支撑部相向；及等离子体反应器，配置在所述工艺腔室外部，并且与所述气体喷射部连接，
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的反应空间，所述基板形成有基底层与复合膜图案，所述复合膜图案为在所述基底层上至少交替层叠多个第一绝缘层及多个第二绝缘层而成；基板支撑部，结合于所述工艺腔室，以支撑所述基板；气体喷射部，结合于所述工艺腔室的上部，以与所述基板支撑部相向；及等离子体反应器，配置在所述工艺腔室外部，并且与所述气体喷射部连接，
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金玟秀，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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