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根据本发明的一观点的基板处理方法包括：预处理步骤，通过气体喷射部向基板上供应预处理气体来形成钝化层，所述预处理气体包含含氢气体及含氧气体；蚀刻步骤，通过所述气体喷射部向所述基板上供应蚀刻剂，进而对于多个第一绝缘层选择性地以侧方向至少部分性蚀...
该专利属于圆益IPS股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆益IPS股份有限公司授权不得商用。

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