【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、以往，已知有具备形成有晶体管部的有源区以及包围有源区的边缘区的半导体装置(例如，参照专利文献1)。另外，已知有在半导体基板的背面层叠p-层和p+层的结构(例如，参照专利文献2)。
2、专利文献1：日本特开2022-016169号公报
3、专利文献2：日本特开2004-311481号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、在半导体装置中，期望抑制故障。
3、技术方案
4、为了解决上述课题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备配置于所述半导体基板的所述上表面的上方的上表面电极。上述任一半导体装置可以具备有源部，所述有源部在所述半导体基板中，配置于所述上表面电极的下方。上述任一半导体装置可以具备边缘终端结构部，所述边缘终端结构部在所述半导体基板中，在俯视时配置于所述上表面电极与所述半导体基板的端边之间。在上述任一半导体装置中，所述有源部可以具有在所述半导体基板中配置于所述下表面与所述漂移区之间的第二导电型的有源集电区。在上述任一半导体装置中，所述边缘终端结构部可以具有在所述半导体基板中配置于所述下表面与所述漂移区之间的第二导电型的边缘集电区。在上述任一半导体装置中，所述有源集电区的载流子浓度的在所述半导体基板的深度方向上的积分值可以比所述边缘集电区的载流子浓度的在所
5、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区的所述上端位置可以比所述边缘集电区的所述上端位置更远离所述半导体基板的所述下表面。
6、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以在所述深度方向上具有一个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的有源峰。在上述任一半导体装置中，所述边缘集电区可以在所述深度方向上具有一个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的边缘峰。在上述任一半导体装置中，至少一个所述有源峰可以被配置为比任意的所述边缘峰更远离所述下表面。
7、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以在所述深度方向上具有两个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的有源峰。在上述任一半导体装置中，所述边缘集电区可以在所述深度方向上具有一个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的边缘峰。在上述任一半导体装置中，所述有源峰的个数可以比所述边缘峰的个数多。
8、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区中的掺杂剂的活化率与所述边缘集电区的掺杂剂的活化率可以不同。
9、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区中的掺杂剂的所述活化率可以比所述边缘集电区的掺杂剂的所述活化率高。
10、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以在所述深度方向上具有一个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的有源峰。在上述任一半导体装置中，所述边缘集电区可以在所述深度方向上具有一个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的边缘峰。在上述任一半导体装置中，在一个以上的所述有源峰和一个以上的所述边缘峰中的至少一个峰中，所述掺杂剂的活化率可以为10％以下。
11、在上述任一半导体装置中，至少一个所述边缘峰中的所述活化率可以为10％以下。
12、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以在所述深度方向上具有一个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的有源峰。在上述任一半导体装置中，在至少一个所述有源峰中，所述掺杂剂的活化率可以为10％以下。
13、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以在所述深度方向上具有两个以上的作为第二导电型的掺杂剂的化学浓度峰的有源峰。在上述任一半导体装置中，所述两个以上的所述有源峰可以包括所述掺杂剂的活化率不同的两个所述有源峰。
14、在上述任一半导体装置中，在所述两个所述有源峰中，所述活化率可以彼此相差10倍以上。
15、在上述任一半导体装置中，所述两个以上的所述有源峰中的某一个所述有源峰中的所述活化率可以比配置于更远离所述下表面的位置的所述有源峰中的所述活化率低。
16、在上述任一半导体装置中，所述边缘集电区可以含有氟。
17、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以含有氟。
18、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以具有第一载流子浓度峰和第二载流子浓度峰，所述第二载流子浓度峰被配置为比所述第一载流子浓度峰更远离所述下表面，且所述第二载流子浓度峰的浓度比所述第一载流子浓度峰的浓度高。
19、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以具有第一载流子浓度峰和第二载流子浓度峰，所述第二载流子浓度峰被配置为比所述第一载流子浓度峰更远离所述下表面。在上述任一半导体装置中，所述第二载流子浓度峰的峰宽度可以为所述第一载流子浓度峰的峰宽度的2倍以上。
20、在上述任一半导体装置中，所述有源集电区可以在所述深度方向上具有两个以上的载流子浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有第一导电型的缓冲区，所述缓冲区与所述有源集电区的上端相接地配置，并且所述缓冲区在所述深度方向上包含一个以上的载流子浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述有源集电区的所述载流子浓度峰中的最靠近所述缓冲区的所述载流子浓度峰的载流子浓度可以为所述缓冲区的所述载流子浓度峰中的最靠近所述有源集电区的所述载流子浓度峰的载流子浓度的10倍以上。
21、在本专利技术的第二方式中，提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备配置于所述半导体基板的所述上表面的上方的上表面电极。上述任一半导体装置可以具备有源部，所述有源部在所述半导体基板中，配置于所述上表面电极的下方。上述任一半导体装置可以具备边缘终端结构部，所述边缘终端结构部在所述半导体基板中，在俯视时配置于所述上表面电极与所述半导体基板的端边之间。在上述任一半导体装置中，所述有源部可以具有在所述半导体基板中配置于所述下表面与所述漂移区之间的第二导电型的有源集电区。在上述任一半导体装置中，所述边缘终端结构部可以具有在所述半导体基板中配置于所述下表面与所述漂移区之间的第二导电型的边缘集电区。在上述任一半导体装置中，所述有源集电区中的掺杂剂的活化率与所述边缘集电区的掺杂剂的活化率可以不同。
22、在本专利技术的第三方式中，提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备配置于所述半导体基板的所述上表面的上方的上表面电极。上述任一半导体装置可以具备有源部，所述有源部在所述半导体基板中，配置于所述上表面电极的下方。上述任一半导体装置可以具备边缘终端结构部，所述边缘终端结构部在所述半本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：白川彻，阿形泰典，三塚要，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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