半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。在半导体装置中，期望抑制故障。该半导体装置具备：有源部，其配置于上表面电极的下方；以及边缘终端结构部，其在俯视时配置于上表面电极与半导体基板的端边之间，有源部具有有源集电区，边缘终端结构部具有边缘集电区，有源集电区的载流子浓度的在深度方向上的积分值比边缘集电区的载流子浓度的在深度方向上的积分值大。有源集电区的深度方向上的上端位置与边缘集电区的深度方向上的上端位置可以不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、以往，已知有具备形成有晶体管部的有源区以及包围有源区的边缘区的半导体装置(例如，参照专利文献1)。另外，已知有在半导体基板的背面层叠p-层和p+层的结构(例如，参照专利文献2)。

2、专利文献1：日本特开2022-016169号公报

3、专利文献2：日本特开2004-311481号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在半导体装置中，期望抑制故障。

3、技术方案

4、为了解决上述课题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备配置于所述半导体基板的所述上表面的上方的上表面电极。上述任一半导体装置可以具备有源部，所述有源部在所述半导体基板中，配置于所述上表面电极的下方。上述任一半导体装置可以具备边缘终端结构部，所述边缘终端结构部在所述半导体基板中，在俯视时配置于所述上表面电极与所述半导体基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9....

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并具有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：白川彻，阿形泰典，三塚要，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：