半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够防止接触插塞的埋入不良的半导体装置及半导体装置的制造方法。沿深度方向贯穿层间绝缘膜(3)的接触孔(3a)的底部由通过形成接触孔(3a)时的过蚀刻而形成于半导体基板(1)的正面(1b)的凹部(1a)构成。在接触孔(3a)的内部，隔着将钛膜(4)和氮化钛膜(5)依次层叠而成的阻挡金属埋入有钨膜(7)。在通过热处理使钛膜(4)硅化而形成钛硅化合物膜(6)时，氮化钛膜(5)在接触孔(3a)的底部上的部分下沉，但是即使在该氮化钛膜(5)下沉后，接触孔(3a)的底部上的氮化钛膜(5)的上表面(5a)仍位于比半导体基板(1)的正面(1a)向上方高出预定高度(t1)的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、以往，作为在层间绝缘膜的接触孔形成接触插塞(用于将半导体基板的预定电位向外部引出的引出电极部)的方法，通过溅射或化学气相沉积(cvd：chemical vapordeposition)法依次层叠钛(ti)膜和氮化钛(tin)膜作为阻挡金属，并通过cvd法在接触孔的内部在氮化钛膜上埋入钨(w)膜的方法是公知的(例如，参照下述专利文献1、2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2001-223218号公报

5、专利文献2：日本特开2021-034400号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、然而，在上述专利文献1中，在形成接触孔时，在半导体基板的正面形成构成接触孔的底部的预定深度的凹部。此后，在将钛膜硅化时，氮化钛膜向下方移动(下沉)，在半导体基板与层间绝缘膜之间的界面的高度位置，在阻挡金属出现龟裂而产生断开(切断)。在上述专利文献2中没有提及防止阻挡金属断开的方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：须泽孝昭，远藤诚，下沢慎，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：