【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、在具有晶体管部和二极管部的半导体装置中，已知有在二极管部局部地形成缺陷区域来调整载流子寿命的结构(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：wo2018/110703号
5、专利文献2：wo2019/111572号
技术实现思路
1、技术问题
2、在半导体装置中，优选具有抑制缺陷区域对晶体管部造成的影响并且容易小型化的结构。
3、技术方案
4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面。半导体装置可以具备晶体管部，所述晶体管部设置于所述半导体基板。半导体装置可以具备二极管部，所述二极管设置于所述半导体基板，并且在第一方向上与所述晶体管部并列地配置。半导体装置可以具备边界区，所述边界区设置于所述半导体基板，并且配置在所述晶体管部和所述二极管部之间。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具有寿命调整区，所述寿命调整区配置在所述半导体基板的上表面侧，并包括调整载流子的寿命的寿命抑制剂。在上述任一半导体装置中，所述边界区可以具有第一部分，所述第一部分与所述晶体管部相接，不设置所述寿命调整区。在上述任一半导体装置中，所述边界区可以具有第二部分，所述第二部分与所述二极管部相接，供所述二极管部的所述寿命调整区延伸设置。在上述任一半导体装置中，所述第一方向
5、对于上述任一半导体装置而言，在所述第二部分，所述半导体基板的深度方向上的所述寿命抑制剂的所述密度分布可以具有密度峰。在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以为所述密度峰的所述深度方向上的峰宽以上。
6、在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以为从所述半导体基板的所述上表面起到所述密度峰为止的距离以上。
7、在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有多个沟槽部，所述多个沟槽部在所述第一方向上并列地配置。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有台面部，所述台面部被两个所述沟槽部夹持。在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以为所述台面部的所述第一方向上的宽度的2倍以上。
8、在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有多个沟槽部，所述多个沟槽部在所述第一方向上并列地配置。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有台面部，所述台面部被两个所述沟槽部夹持。在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以大于将所述边界区中的至少一个所述沟槽部的宽度与夹持该沟槽部的两个所述台面部的宽度相加而得的宽度。
9、在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以为1μm以上。
10、在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以为10μm以上。
11、在上述任一半导体装置中，所述边界区的所述第一方向上的宽度可以为200μm以下。
12、在上述任一半导体装置中，所述第一部分的所述第一方向上的宽度可以为所述边界区的所述第一方向上的宽度的10％以上。
13、在上述任一半导体装置中，所述第二部分的所述第一方向上的宽度可以为从所述半导体基板的所述上表面起到所述密度峰为止的距离以上。
14、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有第一导电型的漂移区。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有发射区，所述发射区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述上表面之间，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有第二导电型的基区，所述第二导电型的基区配置在所述发射区与所述漂移区之间。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有蓄积区，所述蓄积区配置在所述基区与所述漂移区之间，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高。在上述任一半导体装置中，在所述第一部分的至少一部分可以配置有所述蓄积区。在上述任一半导体装置中，在所述第二部分可以不配置所述蓄积区。
15、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有第一导电型的漂移区。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有发射区，所述发射区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述上表面之间，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有第二导电型的基区，所述第二导电型的基区配置在所述发射区与所述漂移区之间。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具有第二导电型的阳极区，所述第二导电型的阳极区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述上表面之间。在上述任一半导体装置中，所述基区的掺杂浓度与所述阳极区的掺杂浓度可以不同。
16、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有第一导电型的漂移区。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有多个沟槽部，所述多个沟槽部在所述第一方向上并列地配置。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有第二导电型的下端区，所述第二导电型的下端区与所述多个沟槽部中的至少最靠近所述边界区的沟槽部的下端相接地设置。在上述任一半导体装置中，所述下端区可以延伸设置到所述第二部分。
17、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有第一导电型的漂移区。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有多个沟槽部，所述多个沟槽部在所述第一方向上并列地配置。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有第二导电型的下端区，所述第二导电型的下端区与所述多个沟槽部中的至少最靠近所述边界区的沟槽部的下端相接地设置。在上述任一半导体装置中，所述下端区可以延伸设置到所述第一部分，并且，不设置在所述第二部分。
18、对于上述任一半导体装置而言，在所述第一方向上，所述下端区与所述第二部分之间的距离可以为所述横斜坡的宽度以上。
19、上述任一半导体装置可以具备上表面电极，所述上表面电极配置在所述半导体基板的所述上表面的上方。上述任一半导体装置可以具备层间绝缘膜，所述层间绝缘膜配置在所述上表面电极与所述半导体基板之间。在上述任一半导体装置中，在所述边界区，在所述层间绝缘膜可以设置有接触孔，所述接触孔连接所述上表面电极与所述半导体基板，并且在第二方向上具有长边。在上述任一半导体装置中，在将所述接触孔的所述第二方向上的端部设为所述边界区的所述第二方向上的端部的情况下，俯视时的所述第二部分的面积sk与所述边界区的面积s可以满足下式。
20、0.8≤sk/s＜1
21、在本专利技术的第二方式中，提供本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半
16.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
17.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
10...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井洋辅，内藤达也，野口晴司，洼内源宜，儿玉奈绪子，泷下博，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。