【技术实现步骤摘要】
本专利技术整体涉及成像系统，并且更具体地，涉及包括用于单光子检测的单光子雪崩二极管(spad)的成像系统。
技术介绍
1、现代电子设备(诸如蜂窝电话、相机和计算机)常常使用数字图像传感器。图像传感器(有时称为成像器)可由二维图像感测像素的阵列形成。每个像素可以包括光敏元件(诸如光电二极管)，这些光敏元件接收入射光子(入射光)并把光子转变为电信号。每个像素还可包括将光重叠并聚焦到光敏元件上的微透镜。
2、具有背照式像素的常规图像传感器可能以各种方式受到有限功能的影响。例如，一些常规图像传感器可能无法确定从图像传感器到正在成像的物体的距离。常规图像传感器也可具有低于期望的图像质量和分辨率。
3、为了提高对入射光的灵敏度，有时可在成像系统中使用单光子雪崩二极管(spad)。然而，spad可能需要比常规图像传感器大的光敏区并且可能需要较高电压，这两者均可能使spad易受湿气和/或水进入的影响。
4、本文的实施方案就是在这种背景下出现的。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种具有正面和背面的半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一硅通孔密封环接触所述第一金属层的第一部分，并且所述第二硅通孔密封环接触所述第一金属层的偏离所述第一部分的第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二金属层是30V阴极接合垫，并且所述第二硅通孔密封环接触所述30V阴极接合垫。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一硅通孔密封环和所述第二硅通孔密封环在所述衬底的边缘处与管芯密封件合并。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二硅通孔密封环接触所述第二金属层的第一部分，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一硅通孔密封环接触所述第一金属层的给定部分，所述第二硅通孔密封环接触所述第一金属层的给定部分，所述第二硅通孔密封环接触所述第二金属层的给定部分，所述第二金属层包括0V阳极接合垫，并且所述第二硅通孔密封环接触所述0V阳极接合垫，所述半导
8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二金属层包括30V阴极接合垫，并且其中所述第二硅通孔密封环耦接到所述30V阴极接合垫，所述半导体器件还包括：
10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种具有正面和背面的半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一硅通孔密封环接触所述第一金属层的第一部分，并且所述第二硅通孔密封环接触所述第一金属层的偏离所述第一部分的第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二金属层是30v阴极接合垫，并且所述第二硅通孔密封环接触所述30v阴极接合垫。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一硅通孔密封环和所述第二硅通孔密封环在所述衬底的边缘处与管芯密封件合并。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二硅通孔密...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·冈比诺，R·C·杰罗米，D·T·普莱斯，M·G·凯斯，A·德格纳恩，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。