【技术实现步骤摘要】
本专利技术的方面大体上涉及半导体晶片及装置处理方法。
技术介绍
1、半导体制程可涉及许多步骤。在一些过程中，一或多个半导体装置可形成于晶片上。导电层可用于为从晶片分离出的个别半导体装置提供电接触区域。导电层可包含晶片的后侧处的一或多个后金属层及晶片的顶侧处的一或多个过接触金属化层。
技术实现思路
1、在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种方法，其包含：在半导体层的前侧上形成绝缘层；在所述绝缘层中的第一开口中形成第一导电触点；在所述绝缘层中的第二开口中形成第二导电触点；及选择性在所述第一导电触点上形成堆叠导电层且不在所述第二导电触点上形成所述所述堆叠导电层的部分。
2、在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种设备，其包含：绝缘层，其安置于半导体层的前侧上；第一导电触点，其安置于所述绝缘层中的第一开口中；第二导电触点，其安置于所述绝缘层中的第二开口中；及堆叠导电层，其安置于所述第一导电触点上且从所述第二导电触点排除。
3、在一些方面中，本文中所描述的技术涉及一种方法，...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二聚酰亚胺层的所述部分是所述第二聚酰亚胺层的第一部分，
4.一种设备，其包括：
5.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：
6.根据权利要求4所述的设备，其中在所述第二导电触点上形成所述堆叠导电层由聚酰亚胺层防止。
7.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：
8.根据权利要求4所述的设备，其中所述堆叠导电层包含无电镀镍无电镀钯浸金ENEPIG层。
9.一种方法，
【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二聚酰亚胺层的所述部分是所述第二聚酰亚胺层的第一部分，
4.一种设备，其包括：
5.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：
6.根据权利要求4所述的设备，其中在所述第二导电触点上形成所述堆叠导电层由聚酰亚胺层防止。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：野间崇，石部真三，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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