【技术实现步骤摘要】
本说明书整体涉及半导体器件封装组件，诸如具有电隔离的外部热耗散表面和/或用于热耗散装置附接的预先施加的导电粘合剂材料的半导体器件封装组件，以及相关联的制造方法。
技术介绍
1、半导体器件封装件的实现可包括具有低热阻的隔离衬底。隔离衬底可耗散由包括在封装件中的一个或多个半导体器件(管芯)的操作生成的热，并且还可提供外部暴露表面、热耗散表面(例如，金属表面)与一个或多个半导体管芯和/或其上设置有一个或多个管芯的管芯附接桨状件之间的电隔离。例如，隔离衬底可包括导热并且电绝缘的基底层(例如，陶瓷材料)、设置在基底层的第一表面上的第一金属层、以及设置在基底层的与第一表面相对的第二表面上的第二金属层。基底层可将第一金属层与第二金属层电隔离，这些金属层中的一个金属层可耦接到管芯附接桨状件(例如，焊接的)，并且另一个金属层可以是外部暴露的热耗散表面。
技术实现思路
1、在一般方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，该半导体器件封装件包括：管芯附接桨状件，该管芯附接桨状件具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；半导体管芯，该半导体管芯与该管芯附接桨状件的该第一表面耦接；和直接接合金属(dbm)衬底。该dbm衬底包括：陶瓷层，该陶瓷层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；第一金属层，该第一金属层设置在该陶瓷层的该第一表面上并且与该管芯附接桨状件的该第二表面耦接；第二金属层，该第二金属层设置在该陶瓷层的该第二表面上。半导体封装件还包括设置在该第二金属层上的导热粘合剂。该导热粘合剂的至少一个
2、具体实施可包括以下方面中的一者或多者。例如，在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该导热粘合剂是导电的。
3、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第二金属层包括凹部，该导热粘合剂的一部分设置在该凹部中。
4、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第二金属层包括设置在该第二金属层的周边边缘处的凹口，并且该导热粘合剂的一部分设置在该凹口中。
5、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第二金属层的第一表面与该陶瓷层的该第二表面耦接，并且该第二金属层的第二表面与该导热粘合剂的第一表面耦接。该半导体器件封装件还可包括模塑料，该模塑料包封该管芯附接桨状件和该半导体管芯，并且部分地包封该dbm衬底，使得该第二金属层的该第二表面通过该模塑料暴露。
6、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第二金属层的该第二表面凹陷在该模塑料中，并且与该导热粘合剂的该第一表面相对的该导热粘合剂的第二表面与该模塑料的表面共面。
7、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第二金属层的该第二表面与该模塑料的表面共面，并且与该导热粘合剂的该第一表面相对的该导热粘合剂的第二表面与该模塑料的该表面不共面。
8、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第一金属层包括围绕该第一金属层的周边的至少一部分设置的蚀刻图案，并且通过移除该第一金属层的一部分来限定该蚀刻图案。
9、在另一个一般方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，该半导体器件封装件包括：管芯附接桨状件，该管芯附接桨状件具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；半导体管芯，该半导体管芯与该管芯附接桨状件的该第一表面耦接；和直接接合金属(dbm)衬底，该dbm衬底包括陶瓷层，该陶瓷层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。该dbm衬底包括设置在该陶瓷层的该第一表面上的第一金属层和设置在该陶瓷层的该第二表面上的第二金属层，该第一金属层与该管芯附接桨状件的该第二表面耦接。该第一金属层包括围绕该第一金属层的周边的至少一部分设置的蚀刻图案。通过移除该第一金属层的一部分来限定该蚀刻图案。
10、具体实施能可包括以下方面中的一者或多者。例如，在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第一金属层包括中心平面部分。
11、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该蚀刻图案包括从该第一金属层限定的多个柱体。
12、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该蚀刻图案包括限定在该第一金属层中的多个凹部。
13、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该第一金属层的被移除部分暴露该陶瓷层的该第一表面的对应部分。
14、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，其中该蚀刻图案围绕该第一金属层的整个周边延伸。
15、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种半导体器件封装件，该半导体器件封装件还包括设置在该第二金属层上并且暴露在该半导体器件封装件外部的导热粘合剂层。该导热粘合剂层被构造成用于将该半导体器件封装件与热耗散装置耦接。
16、在另一个一般方面中，本文所述的技术涉及一种用于生产半导体器件封装件的方法。该方法包括将半导体管芯与具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面的管芯附接桨状件的该第一表面耦接，并且将直接接合金属(dbm)衬底和与该管芯附接桨状件的该第一表面相对的该管芯附接桨状件的第二表面耦接。该dbm衬底包括具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面的陶瓷层，以及设置在该陶瓷层的该第一表面上的第一金属层。该第一金属层与该管芯附接桨状件的该第二表面耦接；第二金属层，该第二金属层设置在该陶瓷层的该第二表面上；以及在该第二金属层上形成导热粘合剂层，使得该导热层的至少一个表面暴露在该半导体器件封装件外部，该导热粘合剂层被构造成用于将该半导体器件封装件与热耗散装置耦接。
17、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种方法，其中形成该导热粘合剂层包括在限定在该第二金属层中的凹部中形成该导热粘合剂层的一部分。
18、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种方法，其中该第二金属层的第一表面与该陶瓷层的该第二表面耦接，并且该第二金属层的第二表面与该导热粘合剂层的第一表面耦接。该方法还包括，在形成该导热粘合剂层之前，在模塑料中包封该管芯附接桨状件和该半导体管芯，并且在该模塑料中部分地包封该dbm衬底，使得该第二金属层的该第二表面通过该模塑料暴露。
19、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种方法，其中该第二金属层的该第二表面凹陷在该模塑料中，并且与该导热粘合剂层的该第一表面相对的该导热粘合剂层的第二表面与该模塑料的表面共面。
20、在一些方面中，本文所述的技术涉及一种方法，其中该第二金属层的该第二表面与该模塑料的表面共面，并且与该导热粘合剂层的该第一表面相对的该导热粘合剂层的第二表面与该模塑料的该表面不共面。
21、一个或多个具体实施的细节在附随附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件封装件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中所述第二金属层包括凹部，所述导热粘合剂的一部分设置在所述凹部中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中所述第二金属层的第一表面与所述陶瓷层的所述第二表面耦接，并且所述第二金属层的第二表面与所述导热粘合剂的第一表面耦接，
5.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中所述第二金属层的第一表面与所述陶瓷层的所述第二表面耦接，并且所述第二金属层的第二表面与所述导热粘合剂的第一表面耦接，
6.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中：
7.一种半导体器件封装件，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件封装件，其中：
9.根据权利要求7所述的半导体器件封装件，其中：
10.根据权利要求7所述的半导体器件封装件，其中：
11.一种用于生产半导体器件封装件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二金属层的第一表面与所述陶瓷层的所述第二表面耦接，并且所述第二金属层的第二表面与所述导热粘合剂层的第一表面耦接，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件封装件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中所述第二金属层包括凹部，所述导热粘合剂的一部分设置在所述凹部中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中所述第二金属层的第一表面与所述陶瓷层的所述第二表面耦接，并且所述第二金属层的第二表面与所述导热粘合剂的第一表面耦接，
5.根据权利要求1所述的半导体器件封装件，其中所述第二金属层的第一表面与所述陶瓷层的所述第二表面耦接，并且所述第二金属层的第二表面与所述导热粘合剂的第一表面耦接，
6.根据权利要求1所述的半导体器件封装件...
【专利技术属性】
技术研发人员：林承园，金正大，全五燮，李秉玉，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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