【技术实现步骤摘要】
本描述涉及半导体晶体的制造。
技术介绍
1、半导体晶体通常由晶种制造(例如，生长)且切片以形成晶片，所述晶片接着可用于形成个别半导体装置。历史上已使用多种技术来生长半导体晶体，例如碳化硅(sic)晶体。例如，已使用高温化学气相沉积(htcvd)、液相外延、溶液生长及物理气相输送(pvt)。
技术实现思路
1、根据一个一般方面，一种用于制造半导体晶体的坩埚可包含外壁及内壁，所述内壁使用石墨膜形成，且在所述内壁与所述外壁之间界定隔室，所述石墨膜具有在安置在所述隔室内的源粉末由加热元件升华时足以使从所述源粉末升华的蒸汽能够扩散的孔隙率。所述坩埚可包含：第一晶种位置，其经安置以接纳第一晶种；及第二晶种位置，其位于所述坩埚的与所述第一晶种位置相对的端部处且经安置以接纳第二晶种。
2、根据另一个一般方面，一种半导体制造组合件可包含加热元件及邻近于所述加热元件安置的坩埚。所述坩埚可包含位于所述坩埚的相对端部处的第一晶种位置及第二晶种位置，且可包含外壁。所述坩埚可包含用多孔石墨膜形成的内壁，其中在所述外壁与所述内壁之间界定的隔室经安置以接纳源粉末，所述源粉末在由所述加热元件加热时升华并从所述隔室扩散且穿过所述内壁以在所述第一晶种位置处提供第一晶种的晶体生长且在所述第二晶种位置处提供第二晶种的晶体生长。
3、根据另一个一般方面，一种制造半导体晶体的方法可包含将源粉末装载到形成于坩埚的外壁与内壁之间的隔室中，所述内壁使用石墨膜形成。所述方法可包含用加热元件加热所述源粉末以使所述
4、在附图及下文描述中阐述一或多个实施方案的细节。将从描述及图式且从权利要求明白其它特征。
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1.一种用于制造半导体晶体的坩埚，其包括：
2.根据权利要求1所述的坩埚，其包括：
3.根据权利要求1所述的坩埚，其包括：
4.根据权利要求3所述的坩埚，其中所述分隔器包含石墨膜，所述石墨膜具有不允许所述蒸汽在所述第一坩埚部分与所述第二坩埚部分之间通过的孔隙率。
5.根据权利要求3所述的坩埚，其中所述坩埚可在所述分隔器处拆卸成包含所述第一晶种位置的第一坩埚部分及包含所述第二晶种位置的第二坩埚部分。
6.一种半导体制造组合件，其包括
7.根据权利要求6所述的半导体制造组合件，其中所述坩埚垂直安置在所述加热元件内。
8.根据权利要求6所述的半导体制造组合件，其包括：
9.一种制造半导体晶体的方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体晶体的坩埚，其包括：
2.根据权利要求1所述的坩埚，其包括：
3.根据权利要求1所述的坩埚，其包括：
4.根据权利要求3所述的坩埚，其中所述分隔器包含石墨膜，所述石墨膜具有不允许所述蒸汽在所述第一坩埚部分与所述第二坩埚部分之间通过的孔隙率。
5.根据权利要求3所述的坩埚，其中所述坩埚可在所述分隔器处拆卸成包含所述第一晶种位置的第一坩埚部分及...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·耶斯科，L·瓦列克，J·捷希克，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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