【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，并且可以适当地用于例如包括场效应晶体管的半导体器件，该场效应晶体管包括比栅极介电膜厚的介电膜和在栅极电极与漏极区域之间的衬底上的介电膜上的场板电极。
2、本专利技术的背景
3、作为金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)中的一个mosfet，横向扩散mosfet(ldmosfet，下文中简称为“ldmos”)是已知的。在ldmos中，可以在栅极电极下方提供sti(浅沟槽隔离)，以便缓和(relax)栅极电极与衬底之间的电场。
4、下面列出了公开的技术。
5、[非专利文献1]k.takahashi等人，“hot-carrier induced off-state leakagecurrent increase of ldmos and approach to overcome the phenomenon”，2018ieee30th international symposium on power semiconductor devices and ics(ispsd),2018,pp.303-306
6、当高电场被施加在ldmos中的源极与漏极之间时，热载流子可以被注入sti中以引起劣化。也就是说，可能发生电路故障、功耗增加和产品寿命下降。作为应对这样的问题的对策，可以设想延长sti的长度。如非专利文献1中所述，可以设想在不形成sti的情况下在平坦衬底上提供比栅极介电膜厚度的氧化硅膜，并且在氧化硅膜上形成被提供有
技术实现思路
1、然而，在上述对策中，存在硅配置衬底与氧化硅膜之间的界面处的电势的干扰较大并且冲击电离速率仍然较大的问题。
2、通过本说明书和附图的描述，其他目的和新颖特征将变得很清楚。
3、以下将简要描述本申请中公开的实施例中的典型实施例。
4、在一个实施例中，一种半导体器件包括形成在半导体衬底的上表面中的n型源极区域和n型漏极区域、经由栅极介电膜形成在半导体衬底上的栅极电极、以及场板电极，经由厚度大于栅极介电膜的介电膜形成在栅极电极与漏极区域之间的半导体衬底上。场板电极具有与形成在场板电极正下方的半导体衬底中的n型半导体区域相比更大的功函数。
5、在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成n型源极区域、p型半导体区域、n型半导体区域、n型漏极区域、和经由栅极介电膜位于p型半导体区域正上方的栅极电极，它们被布置在半导体衬底的上表面中；形成由第一介电膜和在第一介电膜上的场板电极形成的层压膜，以便连续地覆盖在栅极电极与漏极区域之间的半导体衬底的上表面和栅极电极的侧表面，第一介电膜具有比栅极介电膜大的膜厚度；以及形成侧壁间隔物的步骤，该侧壁间隔物覆盖漏极区域侧的层压膜的侧表面并且暴露漏极区域的上表面。这里，场板电极具有与形成在场板电极正下方的半导体衬底中的n型半导体区域相比更大的功函数。
6、在另一实施例中，一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成n型源极区域、p型半导体区域、n型半导体区域、n型漏极区域、和经由栅极介电膜位于p型半导体区域正上方的栅极电极，它们被布置在半导体衬底的上表面中；在半导体衬底上形成层间介电膜；以及在栅极电极与漏极区域之间的层间介电膜的上表面中形成沟槽并且在沟槽中形成场板电极。这里，沟槽的底表面与半导体衬底的上表面之间的距离大于栅极介电膜，并且场板电极具有与形成在场板电极正下方的半导体衬底中的n型半导体区域相比更大的功函数。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，
11.一种制造半导体器件的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：小清水亮，中柴康隆，河合彻，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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