【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及一种半导体器件。
2、下面列出了一种公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2017-183403号
4、已经在深沟隔离方面取得进展。专利文献1描述了一种半导体器件，其中抑制了由半导体衬底中的氧浓度变化引起的漏电流导致的半导体元件的故障，并且描述了该半导体器件的制造方法。专利文献1描述了半导体器件，其中形成由元件隔离绝缘膜(深沟槽隔离)限定的高耐压nmos晶体管形成区域、由元件隔离绝缘膜限定的cmos晶体管形成区域、和衬底接触部分。
技术实现思路
1、然而，dti(深沟槽隔离)的应力可能使mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的性能劣化。因此，本公开的目的是提供一种半导体器件，其中设置有元件以防止dti应力的不利影响。
2、通过本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得很清楚。
3、根据一个实施例，高性能晶体管被设置为远离dti以有效地利用开放空间。
4、根据该实施例，可以提供一种半导体器件，其中设置有元件以防止dti应力的不利影响。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求1所述的半导体器件，
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，
13.根据权利要求11所述的半导体器件，
14.根据权利要求11所述的半导体器件，
15.根据权利要求11所述的半导体器件，
16.根据权利要求11所述的半导体器件，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根...
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