【技术实现步骤摘要】
本说明书中公开的技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置具备包括形成有元件构造的元件区域和位于元件区域的周围的末端区域的半导体层。在半导体层的末端区域，设有用来确保半导体装置的耐压的构造。在专利文献1～3中，公开了作为耐压构造而具备p型的多个保护环的半导体装置。
2、如果半导体装置截止(off)，则耗尽层从元件区域朝向末端区域扩展。耗尽层经由多个保护环而从末端区域的内周侧朝向外周侧扩展。由于从元件区域扩展的耗尽层从末端区域的内周侧朝向外周侧较大地扩展，所以半导体装置的耐压提高。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2012－84910号公报
6、专利文献2：国际公开第2012/056705号
7、专利文献3：日本特开2022－44997号公报
技术实现思路
1、关于这种半导体装置，为了降低损耗而希望使漂移区域高浓度化。为了在设有高浓度的漂移区域的半导体装置中将耗尽层良好地扩展，需要使相邻的保护环的间隔较窄。本说明书提供能够使相邻的保护环的间隔较窄的技术。
2、可以是，半导体装置具备半导体层，该半导体层包含形成有元件构造的元件区域和位于上述元件区域的周围的末端区域。可以是，位于上述末端区域的上述半导体层具有：第1导电型的漂移区域；第2导电型的多个下侧保护环，被上述漂移区域包围，设在第1深度范围中；以及第2导电型的多个上侧保护环，被上述漂移区域包围，设在与上述第1深度范围不同的
3、在上述半导体装置中，上述多个下侧保护环和上述多个上侧保护环的相对位置在上述内外方向上偏移，所以能够使相邻的上述下侧保护环与上述上侧保护环之间的最小间隔比最小加工尺寸小。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其...
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