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半导体器件制造技术
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文档序号:41418752
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一种半导体器件包括N沟道型MOSFET的第一半导体元件、设置在第一半导体元件旁边的N沟道型MOSFET的第二半导体元件、以及围绕第一半导体元件和第二半导体元件的DTI,第一半导体元件连接到第一电路,并且第二半导体元件连接到不同于第一电路的第...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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