【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件，并且可以适用于例如具有ldmosfet的半导体器件。
技术介绍
1、作为misfet(金属绝缘体半导体场效应晶体管)，存在ldmosfet(横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)。ldmosfet具有高漏极击穿电压。
2、下面列出了公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开号2019-117883
4、专利文献1描述了与具有ldmosfet的半导体器件有关的技术。
技术实现思路
1、在诸如ldmosfet的misfet中，阈值电压是重要的电学特性，并且misfet的阈值电压需要根据半导体器件的应用来进行调整。为此，期望以简单的方法调整misfet的阈值电压，而不增加半导体器件的制造成本。
2、其他目的和新颖特征将从本说明书的描述和附图变得明显。
3、根据一个实施例，一种半导体器件包括：具有上表面的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第一导电类型的衬底区域；形成在半导体衬底的上表面上的第一misfe...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，包括：
5.根据权利要求3所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.根据权利要求1所述的半导体器件，
12.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，包括：
5.根据权利要求3所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
11.根据...
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