【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及封装技术，并且更具体地，涉及半导体芯片、半导体封装件、半导体芯片的制造方法和半导体封装件的制造方法。
技术介绍
1、半导体封装可以包括将半导体基板或半导体晶圆切割成半导体芯片。对半导体基板或半导体晶圆进行切割可以通过使用诸如晶圆激光锯切技术和隐形切割技术之类的激光切割技术来执行。半导体封装可以包括将半导体芯片设置在封装基板上方并且形成保护半导体芯片的模制层。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，提供了一种半导体芯片的制造方法。该制造方法可以包括以下步骤：在半导体基板中沿着第一方向以第一深度形成第一改性区域；在半导体基板中沿着不同于第一方向的第二方向以不同于第一深度的第二深度形成第二改性区域；以及利用第一改性区域和第二改性区域将半导体基板切割成半导体芯片。
2、根据本公开的实施方式，提供了一种半导体封装件的制造方法。该制造方法可以包括以下步骤：在半导体基板中沿着第一方向以第一深度形成第一改性区域；在半导体基板中沿着不同于第一方向的第二方向以不同于第一深度的第二...
【技术保护点】
1.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体基板包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一改性区域和所述第二改性区域包括与所述半导体基板的晶体结构不同的晶体结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，切割所述半导体基板的步骤包括以下步骤：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过从所述半导体基板的表面将激光照射在所述半导体基板中并且通过所述激光使所述半导体基板的所述激光聚焦的部分改性来形成所述第一改性区域。>
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体基板包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一改性区域和所述第二改性区域包括与所述半导体基板的晶体结构不同的晶体结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，切割所述半导体基板的步骤包括以下步骤：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过从所述半导体基板的表面将激光照射在所述半导体基板中并且通过所述激光使所述半导体基板的所述激光聚焦的部分改性来形成所述第一改性区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片中的每一个与所述半导体基板分离以包括第一侧表面和第二侧表面，所述第一改性区域位于所述第一侧表面上，并且所述第二改性区域位于所述第二侧表面上。
8.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的方法，
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述半导体芯片设置在所述封装基板上方，使得所述第一表面面向所述封装基板。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述半导体基板包括：
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一改性区域和所述第二改性区域包括与所述半导体基板的晶体结构不同的晶体结构。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，切割所述半导体基板的步骤包括以下步骤：
14.根据权利要求8所述的方法，其中，通过从所述半导体基板的表面将激光照射在所述半导体基板中并且通过所述激光使所述半导体基板的所述激光聚焦的部分改性来形成所述第一改性区域。
15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述模制层进一步在所述封装基板与所述半导体芯片之间延伸。
16.根据权利要求8所述的方法，
17.根据权利要求8所述的方法，其中，所述半导体芯片通过导电连接件连接到所述封装基板。
18.根据权利要求17所述的方法，
19.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：
【专利技术属性】
技术研发人员：徐铉哲，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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