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本公开涉及一种半导体器件，在半导体衬底的p型衬底区域中，形成n型源极区域、n型漏极区域、具有比p型衬底区域的杂质浓度高的杂质浓度的p型主体区域、具有比p型主体区域的杂质浓度高的杂质浓度的p型主体接触区域、以及具有比n型漏极区域的杂质浓度低的...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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