【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体器件及其制造方法。
2、下面列出了公开的技术。
3、【专利文件1】日本未审查专利申请公开号2005-191182
4、在专利文件1中描述的半导体器件中，通过对一个导电层图案化，形成mim电容器元件的下电极和由至少一条布线形成的布线图案。mim电容器元件的电容器介电膜不仅形成在下电极上，而且形成在布线区域中的布线图案上。
5、在半导体器件的制造方法中，在依次形成下导体膜、电容器介电膜和上导体膜之后，使用掩模蚀刻上导体膜以形成上电极，并且使用掩模继续蚀刻电容器介电膜直至蚀刻到其中间。此后，使用覆盖上电极和电容器介电膜的侧表面的掩模蚀刻电容器介电膜的剩余膜和下导体膜，同时形成电容器介电膜、下电极和布线图案。相应地，在半导体器件中，由于在蚀刻工艺中导电沉积物不会粘附到上电极和电容器介电膜的侧表面，从而抑制了击穿电压的降低。
技术实现思路
1、近年来，布线图案趋向小型化。然而，在使用单个掩模连续处理电容器介电膜和布线图案的半导体器件中，例如专利文件1中描述的半导体器件，难以使布线图案小型化。
2、在专利文件1中描述的半导体器件中，电容器介电膜的剩余膜的厚度可以变化。如果电容器介电膜的剩余膜较厚，则无法适当形成在相邻布线之间填充的介电膜，并且在介电膜中可能形成空隙。另一方面，如果电容器介电膜的剩余膜较薄，当在相邻布线之间形成介电膜填充时，布线的上边缘被暴露，并且构成布线的暴露部分的材料可能在布线之间被再
3、从本说明书和附图的描述中，其它目的和新颖特征将变得显而易见。
4、根据本公开，一种半导体器件的制造方法是：包括形成电容器元件的第一区域和形成布线图案的第二区域的半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括：在第一区域和第二区域中依次沉积第一导体膜、介电膜和第二导体膜；以及通过选择性地去除第二导体膜，以便由剩余的第二导体膜形成电容器元件的上电极。此外，该半导体器件的制造方法包括：选择性地去除所暴露的介电膜，从而暴露第二区域中的第一导体膜，并在第一区域中形成具有凸缘部分的介电层；以及选择性地去除第一导体膜，由此在第二区域中从其上表面被暴露的第一导体膜形成布线图案。
5、根据本公开，半导体器件包括mim电容器元件、布线图案和形成在mim电容器元件和布线图案上的层间介电膜。mim电容器元件包括下电极、形成在下电极上的介电层和形成在介电层上的上电极。介电层具有凸缘部分，凸缘部分从上电极下方的区域向外突出。布线图案的上表面与层间介电膜接触。
6、根据本公开，可以提供一种半导体器件。与传统半导体器件相比，该半导体器件中的布线图案可以实现小型化，同时抑制击穿电压的降低。
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1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中形成电容器元件，在所述第二区域中形成布线图案，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求1所述的方法，
4.根据权利要求1所述的方法，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中,所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中,所述方法包括：
7.根据权利要求4所述的方法，包括：
8.一种半导体器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，
10.根据权利要求8所述的半导体器件，
11.根据权利要求8所述的半导体器件，
12.根据权利要求8所述的半导体器件，
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中形成电容器元件，在所述第二区域中形成布线图案，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求1所述的方法，
4.根据权利要求1所述的方法，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中,所述方法包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：杉山祐树，平岩英治，满生彰，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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