【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种集成电路结构，尤其涉及一种集成电路结构及其制造方法。
技术介绍
1、本公开一般关于半导体元件，且特别地关于三维(3-dimensional，3d)存储器元件及形成此类半导体元件的方法。
2、由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的元件整合至给定面积中。
技术实现思路
1、本公开提供一种集成电路结构，该集成电路结构包括衬底、多个半导体元件、层间介电结构、内连接结构、介电层、第一导电层、刻蚀阻挡层以及多个存储器元件。半导体元件位于衬底上。层间介电结构位于半导体元件上方。内连接结构位于层间介电结构中，且电性连接于半导体元件。第一介电层位于层间介电结构上方。刻蚀阻挡层位于第一介电层上。导电层位于刻蚀阻挡层上。存储器单元于垂直方向上堆叠于刻蚀阻挡层上方。
2、在一些实施方式中，该刻蚀阻挡层由一含碳材料所制成的。
3、在一...
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该刻蚀阻挡层由一含碳材料所制成的。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该刻蚀阻挡层的材质包括钨、钛、氮化钛中的一个或多个。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该刻蚀阻挡层由金属氧化物所制成的。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
6.一种集成电路结构的制造方法，包括：
7.根据权利要求6所述的制造方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的制造方法，还包括：
9.根据权利要求6所...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该刻蚀阻挡层由一含碳材料所制成的。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该刻蚀阻挡层的材质包括钨、钛、氮化钛中的一个或多个。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该刻蚀阻挡层由金属氧化物所制成的。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿志，韩宗廷，简昌文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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