【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法和半导体装置。
技术介绍
1、以往，已知具有缓冲区的半导体装置(例如，专利文献1～3)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利申请公开第2017/0062568号说明书
5、专利文献2：美国专利申请公开第2018/0122895号说明书
6、专利文献3：美国专利申请公开第2016/0141399号说明书
技术实现思路
1、技术问题
2、有时半导体装置的特性根据半导体基板的氧浓度或碳浓度中的至少一个而变化。
3、技术方案
4、在本专利技术的第一方式中，可以提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置在半导体基板具备缓冲区，所述制造方法包括：获取与所述半导体基板中包含的氧化学浓度和碳化学浓度中的至少一个有关的基板浓度指标的步骤；将所述基板浓度指标分类到预定的多个指标范围中的某一个指标范围的步骤；关于向所述半导体基板注入的氢离子的加速能量，确定为与所述分类到的指标范围对应而预先设定的加速能量的步骤；以及通过以所述确定的加速能量向所述半导体基板注入氢离子，从而形成所述半导体装置的缓冲区的步骤。
5、在上述半导体装置的制造方法中，所述多个指标范围的个数可以是三个以上。
6、在上述任一半导体装置的制造方法中，可以是，在所述分类到的指标范围为所述指标范围之一即第一范围的情况下，将所述加速能量设为与所述第一范围对应而设定的
7、在上述任一半导体装置的制造方法中，在将所述半导体基板的氧化学浓度设为co[cm-3]、将所述半导体基板的碳化学浓度设为cc[cm-3]的情况下，所述基板浓度指标可以由(co×[{cc/(1e15)}×exp(co/(1e17))])[cm-3]定义。
8、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述第一范围可以为2e17[cm-3]以上且小于5e19[cm-3]。
9、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述第二范围可以为5e19[cm-3]以上且1e22[cm-3]以下。
10、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述第三范围可以为1e15[cm-3]以上且小于2e17[cm-3]。
11、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述基板浓度指标可以是所述半导体基板的氧化学浓度co[cm-3]。
12、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述第一范围可以为2.0e17[cm-3]以上且小于3.0e17[cm-3]。
13、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述第二范围可以为3.0e17[cm-3]以上且5.0e17[cm-3]以下。
14、在上述任一半导体装置的制造方法中，所述第三范围可以为1.0e17[cm-3]以上且小于2.0e17[cm-3]。
15、在上述任一半导体装置的制造方法中，向所述半导体基板注入氢离子的步骤可以包括从所述半导体基板的背面注入氢离子的步骤。
16、在本专利技术的第二方式中，可以提供一种半导体装置，其具备设置于半导体基板的第一导电型的漂移区和设置于所述漂移区的下方且具有掺杂浓度的多个峰的第一导电型的缓冲区。所述缓冲区可以具有基准峰和第一最深峰，所述基准峰是在从所述半导体基板的背面起算10μm以上的深度位置具有峰的峰组中的距所述背面最近的峰，所述第一最深峰是所述峰组中的距所述半导体基板的正面最近的峰。可以将xs设为所述基准峰的正面侧的端部的深度位置。可以将xd1设为所述第一最深峰的正面侧的端部的深度位置。可以将xb设为xs+(xd1-xs)×0.3。可以将n1设为从深度位置xs到xb为止的掺杂浓度的积分浓度。可以将n2设为从深度位置xb到xd1为止的掺杂浓度的积分浓度。可以将所述半导体基板的氧化学浓度设为co[cm-3]。可以将所述半导体基板的碳化学浓度设为cc[cm-3]。在将纵轴设为积分浓度比(n2/(n1+n2))，将横轴设为基板浓度指标(co×[{cc/(1e15)}×exp(co/(1e17))])[cm-3]的半对数图表中，所述半导体基板可以具有所述基板浓度指标在1e15[cm-3]以上且1e22[cm-3]以下的范围内的氧化学浓度和碳化学浓度。所述积分浓度比可以处于上限线a1与下限线b1之间的范围，所述上限线a1设为y＝2.259e-02×ln(x)-4.900e-01，所述下限线b1设为y＝2.259e-02×ln(x)-7.300e-01。
17、在上述任一半导体装置中，在所述半对数图表中，所述积分浓度比可以处于上限线a2与下限线b2之间的范围，所述上限线a2设为y＝2.259e-02×ln(x)-5.400e-01，所述下限线b2设为y＝2.259e-02×ln(x)-6.800e-01。
18、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有所述基板浓度指标在1e15[cm-3]以上且小于2e17[cm-3]的范围内的氧化学浓度和碳化学浓度。
19、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有所述基板浓度指标在2e17[cm-3]以上且小于5e19[cm-3]的范围内的氧化学浓度和碳化学浓度。
20、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板可以具有所述基板浓度指标在5e19[cm-3]以上且1e22[cm-3]以下的范围内的氧化学浓度和碳化学浓度。
21、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板的氧化学浓度可以为1e17[cm-3]以上且1e18[cm-3]以下。
22、在上述任一半导体装置中，所述半导体基板的碳化学浓度可以为0.05e16[cm-3]以上且2.6e16[cm-3]以下。
23、在上述任一半导体装置中，可以将xd2设为所述峰组中的仅次于所述第一最深峰而接近所述半导体基板的所述正面的第二最深峰的正面侧的端部的深度位置，并满足1＜xd1/xd2≤20。
24、在本专利技术的第三方式中，可以提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于具备正面和背面的半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区的下方，且具有掺杂浓度的多个峰。所述缓冲区可以在所述半导体基板的深度方向上具有距所述背面侧最近的最浅峰；设置于比所述最浅峰更靠所述正面侧的位置，并且是在从所述背面起算10μm以上的深度位置具有三个以上的峰的峰组中的距所述背面最近的基准峰；所述峰组中的距所述正面最近的第一最深峰；以及所述峰组中的仅次于所述第一最深峰而接近所述半导体基板的所述正面的第二最深峰。可以将xs设为所述基准峰的正面侧的端本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置在半导体基板具备缓冲区，
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
11.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
13.一种半导体装置，其特征在于，具备：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求13～19中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
21.一种半导体装置，其特征在于，具备：
22.根据权利要求21所述的半导体装置，其特征在于，
23.根据权利要求21或22所述的半导体装置，其特征在于，
24.根据权利要求13～19中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
25.根据权利要求13～19中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置在半导体基板具备缓冲区，
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
11.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：泷下博，大岛佑介，吉村尚，谷口竣太郎，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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