碳化硅半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的单位单元（16）是彼此相邻的源极沟槽（11）的中间的部分，具有2个以上的栅极沟槽（7）以及1个源极沟槽（11），并形成有4个以上的沟道。2个以上的栅极沟槽（7）和1个源极沟槽（11）在与半导体基板（30）的正面平行的方向上交替地重复配置。栅极沟槽（7）的总数比源极沟槽（11）的总数多。栅极沟槽（7）的总面积比源极沟槽（11）的总面积大。栅极沟槽（7）的宽度（w1）为源极沟槽（11）的宽度（w2）以下。源极沟槽（11）的深度（d2）为栅极沟槽（7）的深度（d1）以上。源极沟槽（11）的底面的p型基极深部（4）缓和栅极沟槽（7）的底面附近的电场。由此，能够降低导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种碳化硅半导体装置。

技术介绍

1、以往，作为将碳化硅（sic）用作半导体材料的沟槽栅型sic-mosfet（metal oxidesemiconductor field effect transistor：具备由金属-氧化膜-半导体这三层结构构成的绝缘栅的mos型场效应晶体管），公知有双沟槽结构，该双沟槽结构设置有埋入了栅电极的栅极沟槽、以及埋入了源电极并沿内壁形成有与源电极之间的源极接触部（电接触部）的源极沟槽。

2、对以往的碳化硅半导体装置的结构进行说明。图9是示出以往的碳化硅半导体装置的结构的截面图。图9所示的以往的碳化硅半导体装置110是在由碳化硅构成的半导体基板130的正面（外延层132侧的主面）侧具备源极沟槽111的双沟槽结构的沟槽栅型sic-mosfet。半导体基板130是在由碳化硅构成的n+型起始基板131上使成为n-型漂移区102的n-型的外延层132外延生长而成的。

3、n+型起始基板131是n+型漏区101。外延层132中的除了通过以离子方式向外延层132注入而形成的扩散区（p型基区103、n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

3.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

4.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

3.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

4.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村启树，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：