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本发明的单位单元（16）是彼此相邻的源极沟槽（11）的中间的部分，具有2个以上的栅极沟槽（7）以及1个源极沟槽（11），并形成有4个以上的沟道。2个以上的栅极沟槽（7）和1个源极沟槽（11）在与半导体基板（30）的正面平行的方向上交替地重复...
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