碳化硅半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供在半导体基板内置了栅极电阻且能够防止绝缘破坏的碳化硅半导体装置。栅极流道的多晶硅层经由由多晶硅层构成的内置栅极电阻Rg而与栅极焊盘电连接，具有比栅极焊盘的电位低的电位。因此，多晶硅层与多晶硅层分离地配置，栅极焊盘的正下方的多晶硅层与栅极流道的多晶硅层被绝缘层分离并沿与半导体基板的正面平行的方向隔着该绝缘层而对置。绝缘层的彼此相邻的多晶硅层间的部分的表面被栅极流道的栅极金属布线层覆盖，在栅极焊盘的正下方的pn结被反向偏置时被固定在栅极金属布线层的电位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种碳化硅半导体装置。

技术介绍

1、以往，在mos(由金属-氧化膜-半导体这三层结构构成的绝缘栅)型半导体装置中，在半导体基板(半导体芯片)的正面上具备通过覆盖半导体基板的正面的绝缘层而与半导体基板电绝缘的栅极布线和栅极焊盘。同一芯片内的所有单位单元(元件的构成单位)的栅电极经由栅极布线与栅极焊盘电连接(例如，参照下述专利文献1、2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-136315号公报

5、专利文献2：日本特开2019-161181号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在上述专利文献1中，由于在半导体芯片中没有内置栅极电阻，所以并联连接的半导体芯片数量越增加，半导体芯片间的寄生成分差越容易变大。在上述专利文献2中，通过在半导体芯片内置由多晶硅(poly-si)层形成的栅极电阻，从而使栅极焊盘正下方的多晶硅层与栅极布线的多晶硅层在与半导体芯片的正面平行的方向上隔着绝缘层而对置，在电位上升时电场集中于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，内置有栅极电阻，

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，内置有栅极电阻，

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：市川义人，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：