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本发明提供在半导体基板内置了栅极电阻且能够防止绝缘破坏的碳化硅半导体装置。栅极流道的多晶硅层经由由多晶硅层构成的内置栅极电阻Rg而与栅极焊盘电连接，具有比栅极焊盘的电位低的电位。因此，多晶硅层与多晶硅层分离地配置，栅极焊盘的正下方的多晶硅层...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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