具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构制造技术

一种具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，包含基板、第一磊晶区、主动区以及电流均匀层。第一磊晶区是位于基板之上，主动区是位于第一磊晶区之上，电流均匀层是设置于第一磊晶区之中并且不与主动区直接接触，电流均匀层更包含N型掺杂元素，N型掺杂元素是选自于Si及Se所组成群组的至少一者。面射型激光磊晶结构中的电流均匀层不与主动区直接接触，如此电流均匀层不会因与主动区太过靠近而吸收主动区放出的光，除了能避免出光功率变低，同时确保主动区放出的光可以被具有高反射率的下分散式布拉格反射器层反射。此外，电流均匀层能对下磊晶区中的多数层提供电流均匀分布效果，降低下磊晶区的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是关于一种面射型激光磊晶结构，尤其是具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其适合制作高密度的面射型激光阵列。

技术介绍

1、面射型激光磊晶(vertical cavity surface-emitting laser,vcsel)结构可以制作成包含有面射型激光二极管(vcsel diode)或面射型激光阵列(vcsel array)的面射型激光磊晶元件。面射型激光阵列的下磊晶区的面积是晶粒状的面射型激光的数倍或数千倍以上。如果电流的分布区域没有变大，则下磊晶区的电阻将会很大，vcsel的功率转换效率也会变低。

2、美国专利公开号us 2018/0175587 a1是一种面射型激光阵列，但是其电流均匀层(current spreading layer)210是位于多重量子井(mqw)层216之上，并未教示电流均匀层是位于多重量子井层216下方。

3、美国专利公告号us 6549556b1虽揭露主动区115下方的电流均匀层(currentspreading layer)116，但是该案并非面射型激光阵列，其下磊晶区的面积也不够大到足本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该第一磊晶区更包含下分散式布拉格反射器(distributed Bragg reflector,DBR)层，该下DBR层不与该主动区直接接触，该下DBR层的至少一部分为N型区，该电流均匀层是插入于该N型区之中。

3.根据权利要求2所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该下DBR层更包含P型区与邻接该N型区与该P型区的穿隧接面层，其中，该N型区是设置在该下DBR层中且靠近于该主动区。

4.根据权利要求2所...

【技术特征摘要】

1.一种具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该第一磊晶区更包含下分散式布拉格反射器(distributed bragg reflector,dbr)层，该下dbr层不与该主动区直接接触，该下dbr层的至少一部分为n型区，该电流均匀层是插入于该n型区之中。

3.根据权利要求2所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该下dbr层更包含p型区与邻接该n型区与该p型区的穿隧接面层，其中，该n型区是设置在该下dbr层中且靠近于该主动区。

4.根据权利要求2所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该第一磊晶区更包含穿隧接面层，该穿隧接面层设置于该主动区与该电流均匀层之间或设置于该主动区与该下dbr层之间。

5.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该第一磊晶区更包含间隔层，该间隔层是设置在该主动区与该电流均匀层之间。

6.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，当该基板为gaas时，该电流均匀层是选自由以下材料所构成的群组的至少其中之一：gaas、gaasp、ingap、ingapn、ingapsb、ingapbi、ingaasp、inalgap、inalgapn、inalgapbi、inalgapsb、algaas、algaasp、algaassb。

7.根据权利要求6所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，algaas、algaasp或algaassb的铝成分小于或等于30％。

8.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，当该基板为inp时，该电流均匀层是选自由以下材料所构成的群组的至少其中之一：ingaas、ingaassb、gaassb、inp、ingaasp、inalas、inalgaas、inalassb、inalgaassb、alassb。

9.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，该n型掺杂元素的掺杂浓度等于或大于4x1018/cm3。

10.根据权利要求1所述的具有电流均匀层的面射型激光磊晶结构，其特征在于，se的掺杂浓度等于或大于6x10...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴文长，金宇中，黄朝兴，何肇杭，
申请(专利权)人：全新光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：