【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置包括功率器件。这样的半导体装置例如具有电力转换功能。功率器件例如是包含igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片。
2、半导体装置还包含供半导体芯片配置的电路基板以及将半导体芯片与电路基板电连接的连接布线(例如引线框架)，并被封装部件封装。连接布线将半导体芯片的正面的主电极与电路基板所包含的布线板连接(例如，参照专利文献1～4)。半导体装置也可以还包含分流电阻。分流电阻也可以还通过连接布线与电路基板的布线板直接连接(例如，参照专利文献5、6)。另外，半导体装置也可以包含供半导体芯片配置的引线框架来代替电路基板(专利文献7～9)。半导体装置也可以包含源极感测用的导线。这样的导线也可以与连接布线接合(例如专利文献3、4)。
3、现有技术文献
...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括导线，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求2、5、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括导线，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤辽一，日向裕一朗，村田悠马，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。