【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置包括功率器件。这样的半导体装置例如具有电力转换功能。功率器件例如是包含igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片。
2、半导体装置还包含供半导体芯片配置的电路基板以及将半导体芯片与电路基板电连接的连接布线(例如引线框架)，并被封装部件封装。连接布线将半导体芯片的正面的主电极与电路基板所包含的布线板连接(例如，参照专利文献1～4)。半导体装置也可以还包含分流电阻。分流电阻也可以还通过连接布线与电路基板的布线板直接连接(例如，参照专利文献5、6)。另外，半导体装置也可以包含供半导体芯片配置的引线框架来代替电路基板(专利文献7～9)。半导体装置也可以包含源极感测用的导线。这样的导线也可以与连接布线接合(例如专利文献3、4)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2015/059882号
6、专利文献2：日本特开2003-332393号公报
7、专利文献3：日本特开2016-004796号公报
8、专利文献4：日本特开2019-071399号公报
9、专利文献5：日本特开2019-075521号公报
10、专利文献6：日本特开2019-07
11、专利文献7：国际公开第2015/151273号
12、专利文献8：日本特开2013-243394号公报
13、专利文献9：日本特开昭61-137352号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、半导体装置的封装部件根据被封装的部件的不同而紧贴性低。封装部件相对于例如将连接布线接合于电路基板的焊料的紧贴性低。如果封装部件存在紧贴性低的部位，则在该部位产生剥离，并且以该剥离为起点而剥离进行扩展。如果在这样的剥离的扩展目的地存在与连接布线接合的源极感测用的导线，则导线有可能因剥离而断开。
3、本专利技术是鉴于这样的方面而作出的，其目的在于提供抑制了导线发生断线的半导体装置。
4、技术方案
5、根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，其包括：第一导电部和第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部隔开间隙地分别设置；以及连接布线，其包含与所述第一导电部的第一正面接合的第一接合部、与所述第二导电部的第二正面接合的第二接合部、以及跨越所述间隙而将所述第一接合部与所述第二接合部相连的布线部，所述布线部包括：铅直部，其下端部与所述第一接合部连接，其上端部相对于所述第一接合部向铅直上方立起；平行部，其从所述铅直部的所述上端部起与所述第一导电部和所述第二导电部平行；以及倾斜部，其从所述平行部朝向所述第二接合部倾斜。
6、技术效果
7、根据公开的技术，抑制导线的断线的发生，防止可靠性的降低。
8、通过表示作为本专利技术的例子而优选的实施方式的附图以及相关的下述说明，本专利技术的上述和其他目的、特征以及优点将变得明确。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括导线，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求2、5、6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括导线，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤辽一，日向裕一朗，村田悠马，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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