【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、以往，已知有通过向半导体装置注入氦等粒子来形成晶格缺陷的技术(例如，参照专利文献1、2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：wo2019/181852号
5、专利文献2：wo2017/146148号
技术实现思路
1、技术问题
2、优选通过生成晶格缺陷来调整载流子寿命，并且抑制因生成晶格缺陷而引起的漏电流。
3、技术方案
4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板，该半导体基板具有上表面和下表面，并具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备第一导电型的缓冲区，该第一导电型的缓冲区设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，且该第一导电型的缓冲区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以具有第一复合中心密度峰。在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以具有配置在比所述第一复合中心密度峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置的第二复合中心密度峰。在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰在深度方向上的积分值可以大于所述第一复合中心密度峰在深度方向上的积分值。
5、在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以具有配置为比所述第二复合中心密度峰距所述半导体基板的所述下表面更远的第三复合中心密度峰。在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰在深度方向上
6、在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰值的峰值可以大于所述第一复合中心密度峰值的峰值以及所述第三复合中心密度峰值的峰值中的任一者。
7、在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以在所述半导体基板的深度方向上具有一个以上的掺杂浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述第一复合中心密度峰可以配置在某一所述掺杂浓度峰与所述半导体基板的所述下表面之间。在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰可以配置在所述某一所述掺杂浓度峰与所述半导体基板的所述上表面之间。
8、在上述任一半导体装置中，所述一个以上的掺杂浓度峰可以包括距所述半导体基板的所述下表面最近的最浅掺杂浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述第一复合中心密度峰可以配置在所述最浅掺杂浓度峰与所述半导体基板的所述下表面之间。在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰可以配置在所述最浅掺杂浓度峰与所述半导体基板的所述上表面之间。
9、在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以具有三个以上的所述掺杂浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰可以配置在某两个所述掺杂浓度峰之间。在上述任一半导体装置中，所述第三复合中心密度峰可以配置在与所述第二复合中心密度峰不同的某两个所述掺杂浓度峰之间。
10、在上述任一半导体装置中，三个以上的所述掺杂浓度峰可以包括配置为距所述半导体基板的所述下表面最远的第一上表面侧掺杂浓度峰。在上述任一半导体装置中，三个以上的所述掺杂浓度峰可以包括在深度方向上与所述第一上表面侧掺杂浓度峰相邻的第二上表面侧掺杂浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述第三复合中心密度峰可以配置在比所述第二上表面侧掺杂浓度峰更靠所述半导体基板的所述下表面侧的位置。
11、在上述任一半导体装置中，在所述第一上表面侧掺杂浓度峰与所述第二上表面侧掺杂浓度峰之间可以不配置复合中心密度峰。
12、在上述任一半导体装置中，所述掺杂浓度峰可以是氢施主的浓度峰。
13、在上述任一半导体装置中，距所述下表面最近的所述掺杂浓度峰可以是磷的浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述距所述下表面最近的所述掺杂浓度峰以外的所述掺杂浓度峰可以是氢施主的浓度峰。
14、在上述任一半导体装置中，在所述半导体基板，晶体管部和二极管部可以在排列方向上排列。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具有所述缓冲区。
15、在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以具有所述缓冲区。在上述任一半导体装置中，在所述二极管部和所述晶体管部中，所述第一复合中心密度峰的所述积分值可以相同。
16、在上述任一半导体装置中，所述第一复合中心密度峰可以是第一氦化学浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述第二复合中心密度峰可以是第二氦化学浓度峰。在上述任一半导体装置中，所述第三复合中心密度峰可以是第三氦化学浓度峰。
17、在上述任一半导体装置中，所述第二氦化学浓度峰的所述深度方向上的积分值可以为1×1011(/cm2)以上且1×1012(/cm2)以下。
18、在上述任一半导体装置中，所述第一氦化学浓度峰的所述深度方向上的积分值可以为1×1011(/cm2)以上且1×1012(/cm2)以下。
19、在上述任一半导体装置中，所述第三氦化学浓度峰的所述深度方向上的积分值可以为1×1010(/cm2)以上且1×1011(/cm2)以下。
20、在本专利技术的第二方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板，该半导体基板具有上表面和下表面，并具有第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备第一导电型的缓冲区，所述第一导电型的缓冲区设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，且所述第一导电型的缓冲区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以具有两个以上的掺杂浓度峰，所述两个以上的掺杂浓度峰包括配置在距所述半导体基板的所述下表面最近的位置的最浅掺杂浓度峰，并且所述两个以上的掺杂浓度峰在深度方向上设置于不同的位置。在上述任一半导体装置中，所述缓冲区可以具有多个峰间区域，所述多个峰间区域设置于所述半导体基板的所述下表面与所述最浅掺杂浓度峰之间、以及在深度方向上相邻的两个所述掺杂浓度峰之间。在上述任一半导体装置中，所述多个峰间区域可以包括第一峰间区域，所述第一峰间区域设置有一个以上的第一复合中心密度峰。在上述任一半导体装置中，所述多个峰间区域可以包括第二峰间区域，所述第二峰间区域配置为比所述第一峰间区域距所述半导体基板的所述下表面更远，且设置有一个以上的第二复合中心密度峰。在上述任一半导体装置中，所述第二峰间区域的复合中心密度在深度方向上的积分值可以大于所述第一峰间区域的复合中心密度在深度方向上的积分值。
21、在上述任一半导体装置中，所述第二氦化学浓度峰的所述积分值可以为1×1011(/cm2)以上且1×1012(/cm2)以下。
22、在上述任一半导体装置中，所述第一氦化学浓度峰的所述积分值可以为0.9×1011(/cm2)以上且0.9×1012(/cm2)以下。
23、应予说明，上述的
技术实现思路
并未列举出本专利技术的全部必要特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求2至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
16.根
17.一种半导体装置，其特征在于，具备：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求18或19所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤由晴，三塚要，白川彻，小田优喜，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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