半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法。根据半导体基板的碳浓度等初始特性，在半导体基板掺杂了杂质的情况下所形成的晶格缺陷的密度会发生波动。上述制造方法包括：获取示出形成掺杂区的工艺条件与掺杂区的缺陷评价值之间的关系的相关信息，在评价用基板以所设定的第一工艺条件形成掺杂区，获取形成掺杂区之后的评价用基板的缺陷评价值的测定值，获取在相关信息中与第一工艺条件对应的缺陷评价值作为参照值，将缺陷评价值的测定值与参照值进行比较，调整使用制造用基板来制造半导体装置的工序中的工艺条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、已知有向半导体基板注入质子等离子的技术(例如，参照专利文献1)。另外，已知有对半导体基板的缺陷进行检测的技术(例如，参照专利文献2)。

2、专利文献1：us2016/0141399

3、专利文献2：日本特开平5-074730号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、根据半导体基板的碳浓度等初始特性，在半导体基板掺杂了杂质的情况下所形成的晶格缺陷的密度会发生波动。

3、技术方案

4、为了解决上述课题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置的制造方法。在上述制造方法中，可以获取相关信息，所述相关信息示出向具有初始特性的半导体基板注入掺杂剂而形成掺杂区的工艺条件与对形成于所述掺杂区的缺陷密度进行评价而得到的缺陷评价值之间的关系。在上述任一制造方法中，可以在作为所述半导体基板的评价用基板，以所设定的第一工艺条件形成所述掺杂区，所述评价用基板相对于作为形成所述半导体装置的所述半导体基板的制造用基板具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：获取第一信息和第二信息；以及

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：获取第一信息和第二信息；以及

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岛佑介，吉村尚，泷下博，谷口竣太郎，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：