【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的一些示例实施例涉及一种图像传感器，具体地，涉及一种具有提高的集成密度和电特性的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可将光学图像转换为电信号。随着计算机和通信产业已经发展，在各种领域(诸如，数码相机、摄像机、个人通信系统(pcs)、游戏控制器、安全相机和医用微型相机)中已经越来越需要高性能图像传感器。
2、图像传感器可被分类为电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器中的任何一种。cmos图像传感器可被简单地驱动，并且可被实现为其上集成有信号处理电路和图像感测部件的单个芯片，因此，cmos图像传感器的尺寸可被减小。另外，cmos图像传感器可具有非常低的功耗，以容易地被应用于具有有限的电池容量的产品。此外，可使用cmos工艺技术制造cmos图像传感器，从而降低cmos图像传感器的制造成本。结果，通过cmos工艺技术的发展，cmos图像传感器可具有高分辨率，因此，cmos图像传感器被广泛用于各种领域中。
技术实现思路
1、专利技术构思...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二半导体基底包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
4.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
5.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，第一阱区域与第二阱区域电隔离。
7.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，贯穿插塞穿透第二半导体基底的第一阱区域。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
9.根据权利要求1至权利要求8中的任意一项所...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第二半导体基底包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
4.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
5.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，第一阱区域与第二阱区域电隔离。
7.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，贯穿插塞穿透第二半导体基底的第一阱区域。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
9.根据权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的图像传感器，还包括：
10.一种图像传感器，包括：
11.根据权利要求10所述的图像传感器，还包括：
12.根据权利要求11所述的图...
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