温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置的制造方法。根据半导体基板的碳浓度等初始特性，在半导体基板掺杂了杂质的情况下所形成的晶格缺陷的密度会发生波动。上述制造方法包括：获取示出形成掺杂区的工艺条件与掺杂区的缺陷评价值之间的关系的相关信息，在评价用基板以所设...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。