【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体模块、半导体模块的制造方法、半导体装置以及车辆。
技术介绍
1、在逆变器装置等功率变换装置中,存在具备半导体装置的功率变换装置,该半导体装置具有搭载有igbt(insulated gate bipolar transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode:续流二极管)等半导体元件的电路板(例如参照专利文献1)。
2、在这种半导体装置中,作为将半导体元件的电极与外部端子电连接的导电构件中的流通大电流的导电构件,有时使用有时被称为引线框架的导电板。例如,在专利文献1中记载了通过导电板将搭载在具有漏极端子的基岛(island)上的半导体元件的源极电极与具有源极端子的连杆(post)电连接的半导体装置。另外,例如,在专利文献2中记载了以下的半导体装置:在设置有外部端子的树脂壳体内收容搭载有半导体元件的电路板,通过引线框架将
...【技术保护点】
1.一种半导体模块,
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
5.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
6.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,
7.一种半导体装置,具备:
8.一种车辆,具备根据权利要求1~5中的任一项所述的半导体模块、或根据权利要求7所述的半导体装置。
【技术特征摘要】
1.一种半导体模块,
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村翼,吉田大辉,东展弘,
申请(专利权)人:富士电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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