System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体模块、半导体模块的制造方法、半导体装置以及车辆制造方法及图纸_技高网

半导体模块、半导体模块的制造方法、半导体装置以及车辆制造方法及图纸

技术编号:41205286 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-07 22:31
本发明专利技术涉及一种半导体模块、半导体模块的制造方法、半导体装置以及车辆,能够降低在使用板状焊料将电路板的导电构件与引线构件进行接合的情况下的接合不良。半导体模块具备电路板、以及经由接合构件来与电路板中的导电构件电连接的引线构件,引线构件包括用于通过接合构件来与导电构件接合的接合部、以及从接合部延伸的连结部,接合部的俯视观察时的轮廓是以下形状:以从接合部的与延伸出连结部的第一端部相反侧的第二端部向连结部的延伸方向离开了规定的距离的位置为界,在离第二端部远的位置处,接合部的与连结部的延伸方向正交的宽度方向的两端的位置向彼此相反的端部的方向位移,从而宽度方向的尺寸从第一尺寸变化为比第一尺寸小的第二尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体模块、半导体模块的制造方法、半导体装置以及车辆


技术介绍

1、在逆变器装置等功率变换装置中,存在具备半导体装置的功率变换装置,该半导体装置具有搭载有igbt(insulated gate bipolar transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode:续流二极管)等半导体元件的电路板(例如参照专利文献1)。

2、在这种半导体装置中,作为将半导体元件的电极与外部端子电连接的导电构件中的流通大电流的导电构件,有时使用有时被称为引线框架的导电板。例如,在专利文献1中记载了通过导电板将搭载在具有漏极端子的基岛(island)上的半导体元件的源极电极与具有源极端子的连杆(post)电连接的半导体装置。另外,例如,在专利文献2中记载了以下的半导体装置:在设置有外部端子的树脂壳体内收容搭载有半导体元件的电路板,通过引线框架将半导体元件的电极与同树脂壳体的外部端子电连接的电路板上的布线图案电连接。并且,在引用文献3中记载了关于未使用树脂壳体的半导体装置中的引线框架的形状的几个例子,在引用文献4中记载了关于使用树脂壳体的半导体装置中的引线框架的形状的几个例子。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2003-332393号公报

6、专利文献2:国际公开第2020/071102号

7、专利文献3:日本特开平8-130284号公报

8、专利文献4:日本专利第7028391号说明书


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在上述的半导体装置的制造工序中的、通过导体板将半导体元件的电极与连杆或布线图案电连接的工序中,在半导体元件的电极以及连杆、布线图案上配置板状焊料,并在其上放上导体板后使板状焊料加热熔融。在该工序中,有时使用开口形成用于配置板状焊料和导体板的区域的治具。然而,这样的治具也开口形成与导体板中的用于将与半导体元件的电极连接的连接部同与连杆、布线图案连接的连接部连结的连结部对应的部分,使得在将导体板与半导体元件的电极等连接后该治具能够拆卸下来。因此,利用治具配置的板状焊料的位置有时在直到通过回流焊炉被加热熔融为止的期间,会向治具的开口部分中的与导体板的连结部对应的部分偏离。

3、本专利技术是鉴于所述的点而完成的,其目的之一在于提供一种能够降低在使用板状焊料将电路板的导电构件与引线构件进行接合的情况下的接合不良的半导体模块的制造方法。

4、用于解决问题的方案

5、本专利技术的一个方式的半导体模块具备在布线板上搭载有半导体元件的电路板、以及经由接合构件来与所述电路板中的导电构件电连接的引线构件,所述引线构件包括用于通过所述接合构件来与所述导电构件接合的接合部、以及从所述接合部延伸的连结部,所述接合部的俯视观察时的轮廓是以下形状:以从所述接合部的与延伸出所述连结部的第一端部相反侧的第二端部向所述连结部的延伸方向离开了规定的距离的位置为界,在离所述第二端部远的位置处,所述接合部的与所述连结部的所述延伸方向正交的宽度方向的两端的位置向彼此相反的端部的方向位移,从而所述宽度方向的尺寸从第一尺寸变化为比第一尺寸小的第二尺寸。

6、专利技术的效果

7、根据本专利技术,能够提供一种能够降低在使用板状焊料将电路板的导电构件与引线构件进行接合的情况下的接合不良的半导体模块的制造方法。

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【技术保护点】

1.一种半导体模块,

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

5.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

6.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,

7.一种半导体装置,具备:

8.一种车辆,具备根据权利要求1~5中的任一项所述的半导体模块、或根据权利要求7所述的半导体装置。

【技术特征摘要】

1.一种半导体模块,

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,

5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:中村翼吉田大辉东展弘
申请(专利权)人:富士电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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