【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路制造，尤其涉及集成电路制备装置，制备方法、集成电路及电子设备。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等电器元件制作在半导体晶片(wafer)或基板上，成为具有所需电路功能的微型结构。
2、集成电路中，电器元件通过设置在晶圆(wafer)或基板表面的金属连线实现互连。连接件包括：设置在wafer或基板上的金属线；设置在金属线上的介电层，介电层包括一些贯穿的通孔或者沟槽；设置在通孔内的导电柱，导电柱的一端连接电器元件，导电柱的另一端连接金属线，进而使得电器元件之间可以通过导电柱、金属线实现互连。介电层的形成过程为：介电层采用介电(low-k，lk)材料沉积，lk材料沉积经紫外固化(uv cure)形成介电层；然后，形成贯穿介电层的通孔。在集成电路制造形成通孔或者沟槽的过程中会引入一些杂质(例如，用于形成通孔的蚀刻剂残留。
3、现有技术，通过等离子溅射pre-clean技术去除残留的杂质。具体...
【技术保护点】
1.一种集成电路制备装置，用于集成电路的制备，所述集成电路包括衬底，设置在所衬底上的金属线，以及设置在所述金属线上的介电层，其特征在于，所述集成电路制备装置包括：
2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，通过所述紫外光照射设定时长后，所述介电层中的氢的含量小于或等于含量阈值。
3.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述基座包括第一基座和第二基座，所述制备装置还包括：
4.根据权利要求1或2所述的制备装置，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的制备装置，其特征在于，所述腔体包括：相对设置的腔体底端和腔...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路制备装置，用于集成电路的制备，所述集成电路包括衬底，设置在所衬底上的金属线，以及设置在所述金属线上的介电层，其特征在于，所述集成电路制备装置包括：
2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，通过所述紫外光照射设定时长后，所述介电层中的氢的含量小于或等于含量阈值。
3.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述基座包括第一基座和第二基座，所述制备装置还包括：
4.根据权利要求1或2所述的制备装置，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的制备装置，其特征在于，所述腔体包括：相对设置的腔体底端和腔体顶端，以及设置在所述腔体底端与所述腔体顶端之间的腔体侧壁；
6.根据权利要求5所述的制备装置，其特征在于，所述基座设置在临近所述腔体底端的一侧。
7.根据权利要求5所述的制备装置，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6所述的制备装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求5～8任一项所述的制备装置，其特征在于，所述腔体顶端与所述腔体底端的距离大于或等于设定距离。
10.根据权利要求6～9任一项所述的制备装置，其特征在于，还包括：二氧化硅层，所述二氧化硅层设置在所述腔体...
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