【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电检测，特别涉及一种探测基板及平板探测器。
技术介绍
1、基于薄膜晶体管(thin film transistor，tft)技术制作的x射线平板探测器(flat x-ray panel detector，fpxd)是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像(如x光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。
2、x射线平板探测器主要包括薄膜晶体管与光电转换器件。在x射线照射下，间接转换型x射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将x射线光子转换为可见光，然后在光电转换器件的作用下将可见光转换为电信号，最终通过薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种探测基板及平板探测器，具体方案如下：
2、本专利技术实施例提供了一种探测基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括：设置在所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的光电转换器件，以及设置在所述光电转换器件背离所述衬底基板一侧的偏压线；其中，
3、所述光电转换器件划分为中心区域以及围绕所述中心区域设置的边缘区域；
4、所述偏压线在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述光电转换器件的边缘区域在所述衬底基板上的正投影，且所述偏压线的材料为透明导电材料。
5、
6、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
7、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
8、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，每一所述探测像素单元还包括位于所述偏压线背离所述衬底基板一侧且与所述偏压线直接接触电连接的辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影不交叠。
9、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的外围区域在所述衬底基板上的正投影，所述外围区域为包围所述光电转换器件的边缘区域的区域，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述外围区域在所述衬底基板上的正投影相交叠。
10、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括与所述薄膜晶体管电连接的数据线，所述数据线与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置；
11、每一所述光电转换器件对应设置两个所述辅助电极，每一所述光电转换器件对应的两个所述辅助电极沿所述数据线的延伸方向排列。
12、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括：位于所述薄膜晶体管和所述光电转换器件之间的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层和所述光电转换器件之间的第一平坦层；
13、所述光电转换器件包括依次层叠设置在所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧的第一电极、光电转换层和第二电极，所述第一电极通过贯穿所述第一平坦层和所述第一钝化层的第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
14、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
15、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
16、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
17、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板具有包围所述多个探测像素单元设置的周边区域，所述周边区域具有绑定区，所述绑定区具有焊盘；
18、所述焊盘包括依次层叠设置在所述衬底基板的一侧且相互电连接的第一导电部、第二导电部和第三导电部，所述第一导电部与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，所述第二导电部与所述第二电极同层设置，所述第三导电部与所述偏压线同层设置。
19、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括：位于所述第二电极和所述偏压线之间的第二平坦层，以及位于所述第二平坦层和所述偏压线之间的第二钝化层；所述偏压线通过贯穿所述第二钝化层和所述第二平坦层的第二过孔与所述第二电极电连接。
20、可选地，在本专利技术实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括：位于所述辅助电极背离所述衬底基板一侧的保护层，以及位于所述保护层背离所述衬底基板一侧的闪烁体层。
21、相应地，本专利技术实施例还提供了一种平板探测器，包括本专利技术实施例提供的上述任一项所述的探测基板。
22、本专利技术实施例的有益效果如下：
23、本专利技术实施例提供的一种探测基板及平板探测器，由于偏压线的材料为透明导电材料，所以偏压线不会遮挡光电转换器件，故不会导致光电转换器件的有效面积减小，从而可以提高像素填充率，有利于噪声的降低以及灵敏度的提升；另外，由于偏压线在衬底基板上的正投影至少覆盖光电转换器件的边缘区域在衬底基板上的正投影，这样偏压线可以起到静电屏蔽的作用，减少探测基板在制程中产生的静电mura现象。
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1.一种探测基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括：设置在所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的光电转换器件，以及设置在所述光电转换器件背离所述衬底基板一侧的偏压线；其中，
2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线具有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
3.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求1-4任一项所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括位于所述偏压线背离所述衬底基板一侧且与所述偏压线直接接触电连接的辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影不交叠。
...【技术特征摘要】
1.一种探测基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括：设置在所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的光电转换器件，以及设置在所述光电转换器件背离所述衬底基板一侧的偏压线；其中，
2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线具有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
3.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求1-4任一项所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括位于所述偏压线背离所述衬底基板一侧且与所述偏压线直接接触电连接的辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影不交叠。
6.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的外围区域在所述衬底基板上的正投影，所述外围区域为包围所述光电转换器件的边缘区域的区域，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述外围区域在所述衬底基板上的正投影相交叠。
7.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括与所述薄膜晶体管电连接的数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：李金钰，侯学成，张冠，庞凤春，丁志，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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