封装结构及其制作方法技术

技术编号：41205107 阅读：2 留言：0更新日期：2024-05-07 22:30

本申请提出一种封装结构的制作方法，包括步骤：提供线路基板，包括第一绝缘体和设置于所述第一绝缘体内的第一导通体；移除部分所述第一绝缘体，使得部分所述第一导通体突出剩余所述第一绝缘体的表面，部分所述第一导通体及所述第一绝缘体围设形成一容置空间；于所述第一导通体背离所述第一绝缘体的表面设置第一焊球，获得一第一封装基板；提供一封装件，所述封装件包括第二封装基板和设置于所述第二封装基板一侧的电子元件；所述第一焊球与所述第二封装基板接触，至少部分所述电子元件收容于所述容置空间；加热熔融所述第一焊球，所述第一封装基板电性连接所述第二封装基板。本申请还提供一种封装结构。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子元件封装，具体涉及一种封装结构及其制作方法。

技术介绍

1、传统的pop(package on package，叠层封装)封装工艺是在第一封装基板的表面形成凸起的铜柱作为焊点与第二封装基板进行焊接。目前常用电镀的方法在第一封装基板表面形成铜柱，而由于电镀时电流密度不均匀，使得电镀出来的铜柱高度不均，易造成上件不良。并且，电镀出来的铜柱与第二封装基板上连接垫的结合力差，在后续加工过程中容易脱落，降低可靠性。

技术实现思路

1、为解决
技术介绍
中的问题，本申请提供一种封装结构的制作方法。

2、另外，还有必要提供一种采用上述制作方法制作的封装结构。

3、本申请提供一种封装结构的制作方法，包括以下步骤：

4、提供线路基板，所述线路基板包括第一绝缘体和设置于所述第一绝缘体内的第一导通体；

5、移除部分所述第一绝缘体，使得部分所述第一导通体突出剩余所述第一绝缘体的表面，突出的部分所述第一导通体及所述第一绝缘体围设形成一容置空间；

6、于所述第一导通体背离所述第一绝缘体的表面设置第一焊球，获得一第一封装基板；

7、于所述第一封装基板设置封装件，所述封装件包括第二封装基板和设置于所述第二封装基板一侧的电子元件；所述第一焊球与所述第二封装基板接触，至少部分所述电子元件收容于所述容置空间；

8、加热熔融所述第一焊球，冷却固化后的所述第一焊球电性连接所述第一导通体和所述第二封装基板，获得所述封装结构。

9、进一步地，步骤“移除部分所述第一绝缘体”包括：采用等离子除胶工艺移除部分所述第一绝缘体。

10、进一步地，所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的两个内侧线路层以及设置于所述第一绝缘体一侧的第一外侧线路层，所述第一绝缘体沿厚度方向包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层设置于其中一所述内侧线路层一侧，所述第二绝缘层设置于两个所述内侧线路层之间，所述第三绝缘层设置于所述第一外侧线路层与另一所述内侧线路层之间；

11、步骤“移除部分所述第一绝缘体”包括：

12、移除部分所述第一绝缘层。

13、进一步地，所述第一导通体包括穿过所述第一绝缘层的第一导通柱、设于所述第二绝缘层内的第二导通柱以及设于所述第三绝缘层内的第三导通柱，所述第一导通柱沿所述厚度方向设置于其中一所述内侧线路层的一侧，所述第二导通柱沿所述厚度方向连接于两个所述内侧线路层之间，所述第三导通柱沿所述厚度方向设置于所述第一外侧线路层和另一所述内侧线路层之间；

14、部分所述第一导通柱突出剩余部分所述第一绝缘层的表面，所述第一绝缘层和突出的部分所述第一导通柱围设形成所述容置空间。

15、进一步地，所述线路基板的制作方法包括以下步骤：

16、提供一载板，所述载板包括基材层、剥离层及金属层，所述剥离层设于所述金属层和所述基材层之间；

17、于所述载板表面增层，获得线路基板中间体；

18、分离所述剥离层和所述金属层；以及

19、去除所述金属层，获得独立的所述线路基板。

20、进一步地，所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第二外侧线路层，所述第二外侧线路层包括多个连接垫，所述连接垫上设有第二焊球，所述第二焊球与所述第一焊球接触；

21、步骤“加热熔融所述第一焊球”还包括：

22、将所述第一焊球和所述第二焊球进行回流焊以形成一导电连接件，所述导电连接件电性连接所述第一封装基板和所述第二封装基板。

23、进一步地，所述第二封装基板还包括设于所述第二绝缘体内的第二导通体，所述第二导通体连接于所述第二外侧线路层，且所述第二导通体对应于所述连接垫设置。

24、本申请还提供一种封装结构，包括第一封装基板、封装件和导电连接件，所述第一封装基板包括第一绝缘体和设置于所述第一绝缘体内的第一导通体；部分所述第一导通体突出所述第一绝缘体的表面，突出的部分所述第一导通体和所述第一绝缘体围设形成一容置空间；所述封装件包括第二封装基板和设置于所述第二封装基板一侧的电子元件，所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第二外侧线路层，所述电子元件连接于所述第二外侧线路层，且部分收容于所述容置空间；所述导电连接件设置于所述第一封装基板和所述第二封装基板之间，且电性连接所述第一导通体和所述第二外侧线路层。

25、进一步地，所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的两个内侧线路层以及设置于所述第一绝缘体一侧的第一外侧线路层，所述第一绝缘体沿厚度方向包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层设置于其中一所述内侧线路层一侧，所述第二绝缘层设置于两个所述内侧线路层之间，所述第三绝缘层设置于所述第一外侧线路层与另一所述内侧线路层之间；

26、所述第一导通体包括设于所述第一绝缘层内的第一导通柱、设于所述第二绝缘层内的第二导通柱以及设于所述第三绝缘层内的第三导通柱，所述第一导通柱连接于其中一所述内侧线路层的一侧，所述第二导通柱连接两个所述内侧线路层，所述第三导通柱连接所述第一外侧线路层和另一所述内侧线路层；

27、部分所述第一导通柱突出所述第一绝缘层的表面，所述第一绝缘层和突出的部分所述第一导通柱围设形成所述容置空间。

28、进一步地，所述第二外侧线路层包括多个连接垫，所述导电连接件连接于所述第一导通柱背离所述第一绝缘层的表面以及所述连接垫；所述第二封装基板还包括设于所述第二绝缘体内的第二导通体，所述第二导通体连接于所述第二外侧线路层，且所述第二导通体对应于所述连接垫设置。

29、相较于现有技术，本申请提供的封装结构的制作方法通过移除部分所述第一绝缘体形成所述容置空间，且使得部分所述第一导通体突出所述第一绝缘体的表面，突出的部分所述第一导通体相当于传统工艺中的铜柱，但本申请中的制作方法不受电镀(如电流密度、孔径纵横比等)的限制，使得突出的部分结构高度均匀，所述第一导通体的数量和间距密度更容易调控。并且所述第一导通体部分内埋于所述第一绝缘体内，结合力强，不易脱落，具有良好的信赖性。

30、另外，由于所述容置空间具有一定深度能够收容所述电子元件，从而不必为保证所述第一封装基板和所述电子元件之间的高度而增加所述第一焊球的尺寸，进而能够采用小尺寸的第一焊球，以更利于高密度连接。本申请中突出的部分所述第一导通体相当于传统工艺中的铜柱，与封装件进行对接时为点-面对接，精准性好，所述封装结构的良率高。

31、另外，通过采用移除所述载板并蚀刻所述金属层的方式分板制作所述第一封装基板，可极大减小所述第一绝缘体的厚度，节省空间，有利于所述封装结构的薄型化。

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【技术保护点】

1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤“移除部分所述第一绝缘体”包括：

3.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的两个内侧线路层以及设置于所述第一绝缘体一侧的第一外侧线路层，所述第一绝缘体沿厚度方向包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层设置于其中一所述内侧线路层一侧，所述第二绝缘层设置于两个所述内侧线路层之间，所述第三绝缘层设置于所述第一外侧线路层与另一所述内侧线路层之间；

4.如权利要求3所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一导通体包括穿过所述第一绝缘层的第一导通柱、设于所述第二绝缘层内的第二导通柱以及设于所述第三绝缘层内的第三导通柱，所述第一导通柱沿所述厚度方向设置于其中一所述内侧线路层的一侧，所述第二导通柱沿所述厚度方向连接于两个所述内侧线路层之间，所述第三导通柱沿所述厚度方向设置于所述第一外侧线路层和另一所述内侧线路层之间；

5.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其

6.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第二外侧线路层，所述第二外侧线路层包括多个连接垫，所述连接垫上设有第二焊球，所述第二焊球与所述第一焊球接触；

7.如权利要求6所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二封装基板还包括设于所述第二绝缘体内的第二导通体，所述第二导通体连接于所述第二外侧线路层，所述第二导通体对应于所述连接垫设置。

8.一种封装结构，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的两个内侧线路层以及设置于所述第一绝缘体一侧的第一外侧线路层，所述第一绝缘体沿厚度方向包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层设置于其中一所述内侧线路层一侧，所述第二绝缘层设置于两个所述内侧线路层之间，所述第三绝缘层设置于所述第一外侧线路层与另一所述内侧线路层之间；

10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述第二外侧线路层包括多个连接垫，所述导电连接件连接于所述第一导通柱背离所述第一绝缘层的表面以及所述连接垫；所述第二封装基板还包括设于所述第二绝缘体内的第二导通体，所述第二导通体连接于所述第二外侧线路层，且所述第二导通体对应于所述连接垫设置。

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【技术特征摘要】

1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤“移除部分所述第一绝缘体”包括：

5.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述线路基板的制作方法包括以下步骤：

6.如权利要求1所述的封装结构的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志杰，林海涛，
申请(专利权)人：宏启胜精密电子秦皇岛有限公司，
类型：发明
国别省市：

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