【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构及制备方法。
技术介绍
1、在所有部门，行业和地区，电子行业都在不断要求提供更轻、更快、更小、多功能、更可靠和更具成本效益的产品。为了满足众多不同消费者的这些不断增长的需求，需要集成更多的电路来提供所需的功能。在几乎所有应用中，对减小尺寸，提高性能和改善集成电路功能的需求不断增长。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体封装结构及制备方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：
3、第一封装结构，包括基板和中介层，所述中介层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面的至少一侧设置有第一引线焊盘，所述第一引线焊盘的靠近所述基板一侧的表面暴露；所述第一引线焊盘通过第一引线与所述基板上的第二引线焊盘连接，其中，所述第一引线包括曲线部；在垂直于所述基板方向的投影中，所述曲线部的投影位于所述第一引线焊盘的投影内。
4、在一些实施例中，所述第一引线还包括直线部和弧线部，所述直线部与所述曲线部相连，所述曲线部与所述弧线部相连。
5、在一些实施例中，所述直线部与所述第一引线焊盘连接，所述弧线部与所述第二引线焊盘连接。
6、在一些实施例中，所述直线部与所述曲线部之间通过圆弧过渡连接，所述曲线部与所述弧线部之间通过圆弧过渡连接。
7、在一些实施例中，所述曲线部包括第一子曲线部和第二子曲线部，所述第一子曲线部和所述第二子曲线部的凹陷方向不同。
8、在一些实施例中，所述曲线部的长度占所述第一引线的长度的比例范围为10％-20％。
9、在一些实施例中，还包括：
10、第二封装结构，位于所述中介层的第一表面上，与所述中介层连接；其中，
11、所述第一封装结构和所述第二封装结构之间存在空隙。
12、在一些实施例中，所述中介层包括中介基底和分别设置于所述中介基底的上表面和下表面上的第一介质层和第二介质层，其中，所述第一介质层位于所述中介层的第一表面一侧，所述第二介质层位于所述中介层的第二表面一侧。
13、在一些实施例中，所述第一介质层内设置有第一连接焊盘，所述第二介质层内设置有第二连接焊盘，所述中介基底内设置有第一信号通道，其中，所述第一信号通道连接所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘。
14、在一些实施例中，还包括：
15、芯片堆叠体，设置在所述基板上，所述芯片堆叠体包括多个沿垂直于所述基板的方向依次堆叠的芯片；
16、所述中介层设置在所述芯片堆叠体上。
17、在一些实施例中，还包括：
18、第二引线，每个所述芯片通过所述第二引线连接所述基板。
19、在一些实施例中，所述第一封装结构还包括：塑封料，所述塑封料包裹所述中介层，并与所述第一连接焊盘共面。
20、在一些实施例中，所述基板包括相对设置的上表面和下表面，所述上表面和所述下表面上分别设置有第一导电图案和第二导电图案；
21、所述基板还包括位于所述上表面和所述下表面之间的第二信号通道，所述第二信号通道连接所述第一导电图案和所述第二导电图案。
22、在一些实施例中，还包括：填充层，所述填充层填满所述空隙。
23、据本公开实施例的第二方面，提供了一种半导体封装结构的制备方法，包括：
24、提供第一封装结构，所述第一封装结构包括基板和中介层，所述中介层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面的至少一侧设置有第一引线焊盘，所述第一引线焊盘的靠近所述基板一侧的表面暴露；所述第一引线焊盘通过第一引线与所述基板上的第二引线焊盘连接，其中，所述第一引线包括曲线部；在垂直于所述基板方向的投影中，所述曲线部的投影位于所述第一引线焊盘的投影内。
25、在一些实施例中，所述第一引线焊盘通过第一引线与所述基板上的第二引线焊盘连接，其中，所述第一引线包括曲线部，包括：
26、将所述第一引线穿过劈刀；
27、将所述第一引线连接所述第一引线焊盘，并利用劈刀使所述第一引线形成曲线部；
28、在形成曲线部后，将劈刀朝所述第二引线焊盘方向移动，并使所述第一引线连接所述第二引线焊盘。
29、在一些实施例中，所述劈刀包括第一劈刀和第二劈刀，所述第一劈刀可转动地设置在所述第二劈刀上。
30、在一些实施例中，形成所述曲线部的步骤包括：将所述第二劈刀沿着第一方向移动，以带动所述第一引线移动；
31、将所述第二劈刀沿着第二方向移动，以在所述第一引线上形成所述曲线部；
32、其中，所述第一方向与所述第二方向为相反的方向，且所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板。
33、在一些实施例中，在形成所述曲线部之后，还包括：
34、将所述第二劈刀向所述第二引线焊盘的方向移动；
35、转动所述第一劈刀，以使所述第一引线连接在所述第二引线焊盘上，且在所述第一引线上形成弧线部。
36、本公开实施例中，通过对第一引线设置曲线部，并且该曲线部位于第一引线焊盘的投影内，如此，在进行打线时，第一引线上的曲线部能提升外力抵抗力，防止第一引线从第一引线焊盘上断裂脱离，从而提高了器件的良品率。
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1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
14.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
15.一种半导体封装结构的制备方法，
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述劈刀包括第一劈刀和第二劈刀，所述第一劈刀可转动地设置在所述第二劈刀上。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述曲线部的步骤包括：将所述第二劈刀沿着第一方向移动，以带动所述第一引线移动；
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，在形成所述曲线部之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐燕菲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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