半导体装置及过电流保护装置制造方法及图纸

以适当的电压对负载工作用功率半导体元件和电流监测用功率半导体元件的栅极进行充电。主IGBT(1a)和感测IGBT(1b)的集电极经由端子(C)与电源电压连接。主IGBT(1a)的发射极经由端子(E)与负载(3)连接。分压电路(1c)连接在主IGBT(1a)的栅极与感测IGBT(1b)的感测发射极之间，将向主IGBT(1a)的栅极施加的驱动信号(s0)的电压分压并施加到感测IGBT(1b)的栅极。主IGBT(1a)的栅极与端子(G)以及电阻(Rdiv1)的一端连接。电阻(Rdiv1)的另一端与感测IGBT(1b)的栅极以及电阻(Rdiv2)的一端连接。电阻(Rdiv2)的另一端与感测IGBT(1b)的感测发射极以及端子(SE)连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置及过电流保护装置。

技术介绍

1、近年来，作为功率半导体元件的igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)的下一代技术，正在推进碳化硅化合物半导体(sic：silicon carbide)元件、氮化镓化合物半导体(gan)元件等下一代半导体元件的开发。

2、作为关联技术，例如提出了通过在主igbt的栅极与感测igbt的栅极之间配置有分压电阻的电路来进行过电流检测的技术(专利文献1)。另外，提出了如下技术：根据半导体元件的导通来检测感测电流的检测信号的瞬态感测期间，基于瞬态感测期间中的感测电流的检测信号来进行半导体元件的控制(专利文献2)。进而，提出了通过感测元件的栅极比主元件更早地接收用于指示导通的栅极信号而防止过电流的误检测的技术(专利文献3)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2020-14103号公报

6、专利文献2：国际公开第2018/211840号

7、专利文献3：国际公开第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.一种过电流保护装置，其特征在于，具备：

8.根据权利要求7所述的过电流保护装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤茂树，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：

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