【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种击穿电压控制电路，尤其是涉及一种能够利用低击穿电压器件在输入/输出电路中实现高电压输入/输出的击穿电压控制电路。
技术介绍
1、近年来，随着电子器件的制造工艺的小型化，hci(热载流子注入)/nbti(负偏压温度不稳定性)等的可靠性变得难以保证，这使得难以制造高电压晶体管。回顾过去的趋势，在28nm(纳米)之前，已经使用了3.3v(伏特)或2.5v(overdrive_3.3v)-mos，1.8v-mos已经被使用直到7nm，在5nm之后，已经使用了1.2v(overdrive 1.5v)-mos，并且io晶体管的低击穿电压已经取得进展。同时，即使在采用先进工艺的产品中，仍存在对诸如3.3v-i/f(接口)之类的高电压i/o的需求。相反，这种需求是通过io晶体管的多级堆叠电路来实现的。在io晶体管的多级堆叠电路中，在7nm之前，已经能够使用具有超过3.3v电源的一半的击穿电压(1.8v)的io晶体管，使得3.3v-i/f已经能够通过两级堆叠电路来实现。然而，在5nm之后，击穿电压(1.2v或1.5v)小于3.3v电源的电压的一半，使得需要击穿电压已经被降低的io晶体管的三级堆叠电路，并且出现了必须在三级堆叠电路中实现高电压输入/输出的问题。
2、以下列出了一种已公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2005-39560号
4、专利文献1公开了一种电路，该电路能够通过将被施加到n沟道型晶体管的栅极端子的第一中间电压设定为比电源电压的一半高了阈值电压的电压，并且通过
技术实现思路
1、如上所述，存在一个问题，即高电压输入/输出必须在击穿电压已经被降低的io晶体管的三级堆叠电路中被实现。
2、其他问题和新颖特征将从本说明书的描述和附图中显而易见。
3、根据一个实施例，一种击穿电压控制电路(输入侧)包括：高电压监测电路；以及第一电压切换电路，该第一电压切换电路连接到高电压监测电路。高电压监测电路基于被输入到高电压监测电路的输入信号生成第一参考信号，并且第一电压切换电路输出被施加到第一电压切换电路的第一施加电压与第一参考信号当中的较高电压作为第一控制信号。
4、根据另一实施例，一种击穿电压控制电路(输出侧)包括：高电压监测电路；第一电压切换电路，该第一电压切换电路连接到高电压监测电路；以及第二电压切换电路，该第二电压切换电路连接到高电压监测电路。高电压监测电路基于高电压输出电路的输出信号生成第一参考信号和第二参考信号，该第一参考信号和第二参考信号连接到击穿电压控制电路的后续级并且从高电压输出电路被反馈并输入，并且第一电压切换电路输出被施加到第一电压切换电路的第一施加电压与第一参考信号当中的较高电压作为控制信号。第二电压切换电路输出被施加到第二电压切换电路的第二施加电压与第二参考信号当中的较高电压作为第二控制信号。
5、根据实施例，能够提供能够利用低击穿电压器件在输入/输出电路中实现高电压输入/输出的击穿电压控制电路。
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1.一种击穿电压控制电路，包括：
2.根据权利要求1所述的击穿电压控制电路，
3.根据权利要求2所述的击穿电压控制电路，
4.根据权利要求3所述的击穿电压控制电路，
5.根据权利要求4所述的击穿电压控制电路，
6.根据权利要求2所述的击穿电压控制电路，
7.一种击穿电压控制电路，包括：
8.根据权利要求7所述的击穿电压控制电路，
9.根据权利要求8所述的击穿电压控制电路，
10.根据权利要求9所述的击穿电压控制电路，
11.根据权利要求8所述的击穿电压控制电路，
【技术特征摘要】
1.一种击穿电压控制电路，包括：
2.根据权利要求1所述的击穿电压控制电路，
3.根据权利要求2所述的击穿电压控制电路，
4.根据权利要求3所述的击穿电压控制电路，
5.根据权利要求4所述的击穿电压控制电路，
6.根据权利要求2所述的...
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