击穿电压控制电路制造技术

一种击穿电压控制电路，包括：高电压监测电路；以及第一电压切换电路1112，其连接到高电压监测电路，该高电压监测电路基于被输入到该高电压监测电路的输入信号生成第一参考信号，第一电压切换电路将被施加到该第一电压切换电路的第一施加电压与第一参考信号进行比较，当第一施加电压被超过时，输出第一参考信号作为第一控制信号，并且当第一参考信号的电压小于第一施加电压时，输出第一施加电压作为第一控制信号。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种击穿电压控制电路，尤其是涉及一种能够利用低击穿电压器件在输入/输出电路中实现高电压输入/输出的击穿电压控制电路。

技术介绍

1、近年来，随着电子器件的制造工艺的小型化，hci(热载流子注入)/nbti(负偏压温度不稳定性)等的可靠性变得难以保证，这使得难以制造高电压晶体管。回顾过去的趋势，在28nm(纳米)之前，已经使用了3.3v(伏特)或2.5v(overdrive_3.3v)-mos，1.8v-mos已经被使用直到7nm，在5nm之后，已经使用了1.2v(overdrive 1.5v)-mos，并且io晶体管的低击穿电压已经取得进展。同时，即使在采用先进工艺的产品中，仍存在对诸如3.3v-i/f(接口)之类的高电压i/o的需求。相反，这种需求是通过io晶体管的多级堆叠电路来实现的。在io晶体管的多级堆叠电路中，在7nm之前，已经能够使用具有超过3.3v电源的一半的击穿电压(1.8v)的io晶体管，使得3.3v-i/f已经能够通过两级堆叠电路来实现。然而，在5nm之后，击穿电压(1.2v或1.5v)小于3.3v电源的电压的一半，使得需要击穿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种击穿电压控制电路，包括：

2.根据权利要求1所述的击穿电压控制电路，

3.根据权利要求2所述的击穿电压控制电路，

4.根据权利要求3所述的击穿电压控制电路，

5.根据权利要求4所述的击穿电压控制电路，

6.根据权利要求2所述的击穿电压控制电路，

7.一种击穿电压控制电路，包括：

8.根据权利要求7所述的击穿电压控制电路，

9.根据权利要求8所述的击穿电压控制电路，

10.根据权利要求9所述的击穿电压控制电路，

11.根据权利要求8所述的击穿电压控制电路，

【技术特征摘要】

1.一种击穿电压控制电路，包括：

2.根据权利要求1所述的击穿电压控制电路，

3.根据权利要求2所述的击穿电压控制电路，

4.根据权利要求3所述的击穿电压控制电路，

5.根据权利要求4所述的击穿电压控制电路，

6.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：神立一弘，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：