【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本专利技术涉及半导体器件，例如通过三维半导体工艺制造的半导体器件。
2、近年来，客户对半导体器件的操作速度、操作时间等的要求变得越来越高，并且用于确保半导体器件的可靠性的设计变得更加严格。此外，随着三维半导体工艺的采用，半导体器件的小型化正在发展，并且用于确保可靠性的设计变得更加严格。
3、作为三维半导体工艺的一个示例，存在finfet(场效应晶体管)工艺。与所谓的平面fet相比，finfet由于其操作而增加了由自发热生成的热量。随着小型化，人们担心由自发热生成的热量将增加，并且半导体器件的可靠性寿命将降低。
4、下面列出了一种公开的技术。
5、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2017-118414号
6、专利文献1公开了一种用于将磨损失效预测为半导体器件的可靠性寿命的技术。
技术实现思路
1、为了防止半导体器件的可靠性寿命的劣化，本专利技术人研究了如何高精度地测量fet的自发热。
2、已知在半导...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
9.根据权利要求2所述的半导体器件，
10.根据权利要求2所述的半导体器件，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
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